[发明专利]一种制备二维纳米材料的微米带或纳米带的方法

权利要求书

1.一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法，包含如下步骤：

1)在衬底表面生长二维纳米材料或将生长好的二维纳米材料转移到所需的衬底表面；

2)将水溶性负性光刻胶旋涂在覆盖有二维纳米材料的衬底上，上述衬底保持室温，所述室温为18℃～30℃；

3)将与水溶性负性光刻胶对应的水溶性显影液降温至4℃～16℃，然后将上述覆盖有二维纳米材料的衬底放入显影液中静置10s～100s，在衬底上会出现宽度和长度不同的光刻胶薄膜卷，定影并去除水分；

4)利用上述光刻胶薄膜卷作为掩膜，等离子体刻蚀掉未被保护的二维纳米材料；

5)去胶后，衬底上得到二维纳米材料的纳米带、微米带或纳米带与微米带的混合。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述水溶性负性光刻胶是AR-U4030、AR-U 4040、AR-U 4060、AR-N 4240、AR-N 4340、AR-N7500、AR-N 7520、AR-N 7700或AR-N 7720。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中所使用的光刻胶对应的显影液是AR 300-26、AR 300-35、AR 300-44、AR 300-46、AR 300-47或AR300-475。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述定影是指在去离子水中静置30～60s。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4)中氧等离子体刻蚀的工艺参数是：ICP功率10W～200W，RIE功率10W～200W，刻蚀时间20s～300s。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二维纳米材料是指石墨烯、二硫化钼、二硒化钼、二碲化钼、二硫化钨、二硒化钨、二碲化钨、硒化铋、碲化铋、黑磷或六方氮化硼。