[发明专利]沟槽工艺方法在审
| 申请号： | 201510608321.4 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105225940A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 马彪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽工艺方法，其特征在于，包含：
第1步，在硅衬底上形成热氧化层，并淀积正硅酸乙酯；
第2步，利用光刻胶定义，打开沟槽窗口；
第3步，去除光刻胶并进行清洗；
第4步，进行沟槽刻蚀；
第5步，去除所有的正硅酸乙酯，并保留部分热氧化层；
第6步，热氧化生长一层氧化层；
第7步，湿法去除所有的氧化层。
2.如权利要求1所述的一种沟槽工艺方法，其特征在于：所述的第1步中，所述热氧化层的厚度为正硅酸乙酯的厚度为
3.如权利要求1所述的一种沟槽工艺方法，其特征在于：所述第1步中，热氧化层或者采用前层遗留的氧化层，不需专门生长。
4.如权利要求1所述的一种沟槽工艺方法，其特征在于：所述第5步中，保留的热氧化层厚度为
5.如权利要求1所述的一种沟槽工艺方法，其特征在于：所述第6步中，热氧化生长的氧化层厚度为
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
