[发明专利]一种全碳基神经突触仿生器件及其制备方法

权利要求书

1.一种全碳基神经突触仿生器件，包括衬底、位于衬底之上的底电极、位于底电极之上的阻变功能层，以及位于阻变功能层之上的顶电极，其特征在于，所述底电极和顶电极为石墨烯；所述阻变功能层为氧化石墨烯。

2.根据权利要求1所述的全碳基神经突触仿生器件，其特征在于，所述衬底为柔性衬底。

3.根据权利要求2所述的全碳基神经突触仿生器件，其特征在于，所述衬底材料为聚乙烯对苯二酸脂、聚酰亚胺、硅橡胶、聚对苯二甲酸乙二醇脂或硅树脂有机聚合物材料，或者为金属陶瓷材料。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的全碳基神经突触仿生器件，其特征在于，所述底电极和顶电极为交叉配置的石墨烯带。

5.根据权利要求4所述的全碳基神经突触仿生器件，其特征在于，所述石墨烯带宽度为1～10微米。

6.一种全碳基神经突触仿生器件的制备方法，其特征在于具体步骤为：

在衬底上形成石墨烯底电极；

在底电极上形成氧化石墨烯阻变功能层；以及

在石墨烯阻变功能层上形成石墨烯顶电极。

7.根据权利要求6所述的全碳基神经突触仿生器件的制备方法，其特征在于，所述衬底为柔性衬底。

8.根据权利要求6或7所述的神经突触仿生器件的制备方法，其特征在于，在衬底上形成石墨烯带作为底电极；在阻变功能层上以与底电极相互交叉的方式形成石墨烯带作为顶电极。

9.根据权利要求8所述的所述的神经突触仿生器件的制备方法，其特征在于，所述石墨烯带宽度为1～10微米。

10.根据权利要求6或7所述的神经突触仿生器件的制备方法，其特征在于，采用旋涂方法形成所述氧化石墨烯阻变功能层。