[发明专利]像素结构

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种像素结构。

背景技术

UV2A的名称来源于紫外线(UV)与液晶面板的VA方式相乘。其关键是利用作为配向膜的特殊高分子材料，高精度地控制液晶分子沿着紫外线方向倾斜。其基本原理是在玻璃基板上涂覆对紫外线具有反应的特殊配相膜，当该配相膜受到紫外线照射后，配相膜就会沿着照射方向发生偏转，从而能够高精度地控制液晶分子沿着紫外线照射的角度和方向倾斜。UV2A技术具有高开口率、高对比度、快速响应等特性。

结合图4和图5所示，现有技术中的像素结构100’在采用UV2A技术下，以图4所示的配向方式为例(如图中实线箭头方向所示)，会形成如图5所示的黑纹10’。如图5所示，由于像素结构100’的四周由于边缘电场(如图中实线箭头所示)的作用，使液晶的方向均由边缘朝向子像素结构100’的内部(如图中虚线箭头所示)。当边缘电场的作用力方向与液晶分子转动方向的夹角小于90度时，像素结构100’的边缘不会被液晶分子遮挡而产生黑纹12’；当边缘电场的作用力方向与液晶分子转动方向的夹角大于90度时，像素结构100’的边缘会被液晶分子遮挡而产生暗纹12’。

通常情况下，在一个像素结构100’中，黑纹10’的中间为呈十字状的垂直黑纹11’，四周为占像素结构100’边缘的一半的边缘黑纹12’。在该黑纹10’的形状中，垂直黑纹11’由于UV2A特殊的正交垂直光配向方式客观存在，因而无法消除，而边缘黑纹12’通过对像素结构100’的改变可以进行调整，对边缘黑纹12’的消除可大大地提高像素结构100’的光透过率。

针对上述技术存在的问题，在本领域中希望寻求一种像素结构，在该像素结构的四周边缘处能够产生更少的黑纹，从而提高像素结构的光透过率，以解决现有技术中的不足之处。

发明内容

本发明针对现有技术的不足之处，提出了一种像素结构。

根据本发明提供的一种像素结构，包括设置在彩膜基板上的各个色阻上的第一透明导电膜，与第一透明导电膜相对应的设置在阵列基板上的子像素区域上的第二透明导电膜，各第一透明导电膜相连。其中，各第一透明导电膜的面积大于相应第二透明导电膜的面积，并且第一透明导电膜大于第二透明导电膜的部分开设有凹槽。

在本发明提供的像素结构中，各第一透明导电膜的面积大于相应第二透明导电膜的面积，当采用UV2A技术时，由于UV2A的边缘电场效应，在第一透明导电膜的边缘上会形成额外的黑纹，本发明的像素结构通过在第一透明导电膜大于第二透明导电膜的部分开设凹槽，即在第一透明导电膜形成额外黑纹的区域对第一透明导电膜进行开槽去除，该设置可将第一透明导电膜的边缘处产生的黑纹移出第一透明导电膜所对应的开口区，这便使该黑纹无法呈现在第一透明导电膜的边缘处，从而大大地提高了像素结构的光透过率。

在一些实施方案中，第一透明导电膜与第二透明导电膜均为矩形，并且第一透明导电膜的中心点的投影与第二透明导电膜的中心点重合，以使第一透明导电膜大于第二透明导电膜的部分形成环状透明导电膜。第一透明导电膜的中心点的投影与第二透明导电膜的中心点重合使第一透明导电膜与第二透明导电膜相对应的区域的光的透过率更高。此外，通过设置环状透明导电膜的形状，可对第一透明导电膜边缘处产生黑纹的部分作进一步调整，以实现对像素结构的光透过率的调整。

在一些实施方案中，环状透明导电膜包括沿逆时针方向顺次相连的第一矩形部、第二矩形部、第三矩形部和第四矩形部，各矩形部中的至少一个上设置有凹槽。该凹槽对应设置在环状透明导电膜产生黑纹的位置处，即可避免一个或多个矩形部上暗纹的产生，从而提高像素结构的光透过率。

在一些实施方案中，各矩形部上均开设有凹槽。各矩形部上的凹槽分别对应设置在各矩形部上产生黑纹的位置处，可避免各个矩形部上暗纹的产生，从而进一步提高像素结构的光透过率。

在一些实施方案中，各矩形部上的凹槽的个数为一个。

在一些实施方案中，各矩形部上的凹槽互不干涉。由于在各矩形部上产生互不干涉的黑纹，因此该方案将凹槽也对应设置成互不干涉，从而进一步消除像素结构边缘处的黑纹。

在一些实施方案中，凹槽的长度介于第二透明导电膜的相应矩形边的长度的二分之一至相应矩形边的总长之间。该方案用于使凹槽至少部分覆盖环状透明导电膜上产生的黑纹。

在一些实施方案中，凹槽的一端与第二透明导电膜的相应矩形边的一个端点平齐，并且凹槽的长度为相应矩形边的长度的二分之一。该方案使凹槽完全覆盖环状透明导电膜上产生的黑纹。