[发明专利]高K金属栅极结构的制造方法在审
| 申请号： | 201510608769.6 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105161408A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 制造 方法 | ||
1.高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成侧墙与伪栅极，一次沉积一通孔刻蚀停止层、层间绝缘氧化层于所述侧墙、所述伪栅极、所述衬底上；
曝露所述通孔刻蚀停止层，并刻蚀所述通孔刻蚀停止层；
沉积一牺牲层，并刻蚀所述牺牲层形成牺牲侧墙；
移除所述伪栅极，形成凹槽，并进行金属栅极填充。
2.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述通孔刻蚀停止层为氮化硅。
3.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺曝露所述通孔刻蚀停止层。
4.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，采用干法或湿法对曝露的对所述通孔刻蚀停止层进行刻蚀。
5.根据权利要求所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，采用回拉工艺对曝露的对所述通孔刻蚀停止层进行刻蚀。
6.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述通孔刻蚀停止层在所述伪栅极上的厚度大于
7.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：刻蚀所述层间绝缘氧化层停止于所述通孔刻蚀停止层的上表面。
8.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲层为非晶碳或氮化硼或氮化钛。
9.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度大于
10.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的宽度小于所述伪栅极上的所述侧墙与所述通孔刻蚀停止层的宽度之和。
11.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述凹槽的开口顶角的形状为圆弧状。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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