[发明专利]一种平面结构的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510608779.X | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105161617B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 结构 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种平面结构的阻变存储器，包括，衬底、形成于所述衬底上的阻变功能层、以及形成于所述阻变功能层两端的电极，其特征在于，所述电极为石墨烯电极；包括：接触电极，分别形成于所述石墨烯电极外侧。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述石墨烯电极间的距离为20纳米。
3. 根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变功能层的材料为TiO2、Ta2O5、Al2O3、HfO2 、ZnO中的一种，或其中几种的组合。
4.一种平面结构的阻变存储器制备方法，其特征在于，具体步骤为：
在衬底上形成石墨烯层；
对所述石墨烯层进行图案化形成石墨烯纳米带；
使所述石墨烯纳米带中形成空隙，形成石墨烯电极；
在所述石墨烯电极之间形成阻变功能层。
5.根据权利要求4所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，在形成所述石墨烯电极之前，在所述石墨烯纳米带两端形成接触电极。
6.根据权利要求5所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，在所述接触电极两端施加电压，使所述石墨烯纳米带断开形成空隙。
7.根据权利要求6所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，所形成的石墨烯纳米带中的空隙为20nm。
8.根据权利要求4或5所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，所述石墨烯纳米带线宽为40～100nm。
9.根据权利要求4～6中任一项所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，采用低温原子层沉积技术生长阻变功能层。
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