[发明专利]一种改善晶圆形变的曝光载片台

说明书

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种改善晶圆形变的曝光载片台。本发明应用于通过曝光机向载片台上方的硅片进行曝光的过程中，硅片放置于载片台的正上方，载片台上设置有吸真空孔，载片台的表面涂有涂层，涂层的摩擦系数μ为0.4‑0.8，涂层的导热系数λ为20‑400W/m.k。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种改善晶圆形变的曝光载片台。

背景技术

目前在半导体的生产加工工艺中一般均需要进行曝光工艺，曝光的过程中往往晶圆需要受热，由于受到热源的热量，晶圆硅片的热膨胀就会凸显出来。

现有技术中，半导体曝光机载片台的表面一般涂有表面涂层，该表面涂层一般由碳纤维复合材料制成，其摩擦系数较小，一般为0.05-0.2左右，导热系数也较低，一般小于20W/m.k，图1为本发明现有技术中载片台的结构示意图，如图1所示，首先把硅片2通过移动臂放置在载片台1的正上方，真空孔3瞬时吸住硅片，曝光过程中硅片2因曝光受热膨胀，但硅片2下方的真空孔3处因贴合紧密无膨胀，外周硅片2向外发生膨胀出现水平形变，造成对准精度偏差，满足不了高精度的生产工艺要求需要。

发明内容

针对现有技术中的载片台的设计所存在的缺陷，本发明涉及了一种摩擦系数高、导热系数高的一种可以改善晶圆形变的曝光载片台。

本发明采用如下技术方案：

一种改善晶圆形变的曝光载片台，硅片放置于载片台的正上方，所述载片台上设置有吸真空孔，所述载片台的表面涂有涂层，所述涂层的摩擦系数μ为0.4-0.8，所述涂层的导热系数λ为20-400W/m.k。

优选的，所述载片台应用于小于20纳米的工艺层次中。

优选的，根据权利要求1所述的改善晶圆形变的曝光载片台，其特征在于，所述载片台应用于55纳米、40纳米、28纳米的半导体工艺中。

优选的，所述涂层包括金属材料与复合材料。

优选的，所述金属包括AL或Cu或Ag或Au或W或Pt。

优选的，所述复合材料包括TiN或Co或SiOxNx。

优选的，采用的曝光机为KrF深紫外光或ArF非浸没式深紫外光或ArF浸没式深紫外光曝光机。

本发明的有益效果是：

本发明通过应用光刻机载片台新型表面涂层，增加硅片和载片台的摩擦系数，使硅片与载片台紧密贴合，通过高导热系数材料传热，减少热膨胀，消除硅片曝光产生热膨胀带来的水平方向偏移，可以有效地改善硅片形变，提高对准精度，保证了光刻曝光过程中硅片与光源的对准准确性，大幅提高了硅片整体的对准精度均一性，可以满足对精度要求较高的工艺。

附图说明

图1为现有技术中的载片台的结构示意图；

图2为本发明改善晶圆形变的曝光载片台实施例的结构示意图；

图3为本发明改善晶圆形变的曝光载片台实施例的吸真空孔的结构示意图；

图4为本发明改善晶圆形变的曝光载片台实施例的放大示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行具体的说明，需要说明的是，如下的技术特征为本发明的优选技术方案，可以进行相互组合，并不构成对本发明的限定。

实施例一