[发明专利]一种降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法有效
| 申请号： | 201510608986.5 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105304568B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 何志斌;景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 金属 器件 阈值 电压 波动 方法 | ||
1.一种降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，于所述衬底上形成PMOS区域与NMOS区域，其中所述PMOS区域与所述NMOS区域均包括高K介电层；
于所述PMOS区域与所述NMOS区域的高K介电层的上方沉积氮化钛(TiN)；
于所述PMOS区域与所述NMOS区域沉积一硅膜作为阻挡层，再于所述阻挡层上淀积P型功函数层；
依次去除所述NMOS区域的P型功函数层、所述硅膜；
对所述PMOS区域进行退火工艺；
其中，所述P型功函数层为TiN。
2.根据权利要求1所述的降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述方法还包括：
进行退火工艺后，对所述PMOS区域与所述NMOS区域淀积N型功函数层并进行金属栅工艺。
3.根据权利要求1所述的降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，采用原子层沉积设备淀积所述硅膜。
4.根据权利要求3所述的降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，采用所述原子层沉积设备淀积所述硅膜的厚度为
5.根据权利要求1所述的降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，采用光刻与刻蚀工艺去除所述NMOS区域的所述P型功函数层。
6.根据权利要求1所述的降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，采用四甲基氢氧化铵去除所述硅膜。
7.根据权利要求1所述的降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述退火工艺中的退火温度为50-1250摄氏度。
8.根据权利要求1所述的降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述退火工艺的时间为0.1-1000秒。
9.根据权利要求1所述的降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述衬底上沉积氮化硅层，所述PMOS区域与所述NMOS区域形成于所述氮化硅层中。
10.根据权利要求1所述的降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述PMOS区域与所述NMOS区域还包括中间层。
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