[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(11)，在所述基板(11)上依次形成遮光层(12)、缓冲层(13)，在所述缓冲层(13)上形成多晶硅层(14)，对所述多晶硅层(14)的两端进行N型离子注入，得到位于所述多晶硅层(14)两端的N型重掺杂区(141)、及位于两N型重掺杂区(141)之间的未掺杂区(145)，在所述多晶硅层(14)上沉积栅极绝缘层(15)；

步骤2、在所述栅极绝缘层(15)上涂布光刻胶，利用半灰阶掩模板对该光刻胶进行曝光、显影，得到光阻层(50)，所述光阻层(50)上对应所述N型重掺杂区(141)上方设有通孔(51)，并且所述光阻层(50)上对应于所述未掺杂区(145)上方的厚度大于其它区域的厚度；

步骤3、以光阻层(50)为遮蔽层，对所述栅极绝缘层(15)进行干法刻蚀，从而得到位于所述N型重掺杂区(141)上方的第一过孔(151)，对所述光阻层(50)进行氧气灰化处理，经氧气灰化处理后，剩余的光阻层(50)位于所述多晶硅层(14)的未掺杂区(145)的上方，且尺寸小于该未掺杂区(145)的尺寸；

步骤4、以剩余的光阻层(50)为遮蔽层，对所述未掺杂区(145)的两端进行N型离子注入，在所述未掺杂区(145)的两端形成N型轻掺杂区(142)，定义两N型轻掺杂区(142)之间的未掺杂区域为沟道区(143)；去除光阻层(50)，在所述栅极绝缘层(15)上沉积形成金属层，图案化该金属层，得到栅极(16)、源极(17)、及漏极(18)，所述栅极(16)、源极(17)、及漏极(18)不相连，所述源极(17)、及漏极(18)分别通过第一过孔(151)与所述N型重掺杂区(141)相连接；

步骤5、在所述栅极(16)、源极(17)、及漏极(18)上形成平坦层(19)，通过光刻制程在所述平坦层(19)上形成对应于所述栅极(16)上方的第二过孔(191)、以及对应于所述漏极(18)上方的第三过孔(192)；

步骤6、在所述平坦层(19)上形成一ITO薄膜，图案化该ITO薄膜，得到公共电极(201)、及透明电极(202)，所述透明电极(202)通过第二过孔(191)与所述栅极(16)相连接，从而栅极扫描信号可以通过该透明电极(202)输入到栅极(16)上。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，所述半灰阶掩模板包括透光区、半透光区、及遮光区，在曝光过程中，所述透光区对应于所述N型重掺杂区(141)上方，所述遮光区对应于所述未掺杂区(145)上方。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，进行沉积金属层之前，还需要对所述基板(11)进行快速热退火处理。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层(13)为由氮化硅薄膜和氧化硅薄膜所组成的叠层结构；所述多晶硅层(14)的材料为低温多晶硅。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括步骤7、在所述公共电极(201)、及透明电极(202)上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述平坦层(19)上的第三过孔(192)与漏极(18)相连接。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括基板(11)、设于所述基板(11)上的遮光层(12)、设于所述基板(11)及遮光层(12)上的缓冲层(13)、设于所述缓冲层(13)上的多晶硅层(14)、设于所述多晶硅层(14)上的栅极绝缘层(15)、设于所述栅极绝缘层(15)上的栅极(16)、源极(17)、及漏极(18)、设于所述栅极绝缘层(15)、栅极(16)、源极(17)、及漏极(18)上的平坦层(19)、以及设于所述平坦层(19)上的公共电极(201)与透明电极(202)；

所述多晶硅层(14)包括位于所述多晶硅层(14)两端的N型重掺杂区(141)、及位于两N型重掺杂区(141)之间的沟道区(143)；

所述栅极绝缘层(15)上设有对应于所述N型重掺杂区(141)上方的第一过孔(151)，所述平坦层(19)上设有对应于所述栅极(16)上方的第二过孔(191)、及对应于所述漏极(18)上方的第三过孔(192)，所述透明电极(202)通过第二过孔(191)与所述栅极(16)相连接，从而栅极扫描信号可以通过该透明电极(202)输入到栅极(16)上。