[发明专利]使用三维沟道的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一鳍；

与所述第一鳍分离的第二鳍；以及

位于所述第一鳍和所述第二鳍上的栅极，

所述栅极与所述第一鳍和所述第二鳍交叉，

所述第一鳍包括位于所述栅极两侧的第一掺杂区，所述第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压，并且

所述第二鳍包括位于所述栅极两侧的第二掺杂区，所述第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压，所述第二电压不同于所述第一电压，

其中，所述第一鳍包括第一导电类型的第一阱，所述第一掺杂区位于所述第一阱中，所述第一阱在所述栅极的下部下方沿着第一方向形成，所述栅极在第一方向上纵长地延伸，以使得所述第一阱延伸至所述第一鳍和位于所述栅极下方的第二鳍的部分中，

其中，第二导电类型的第二阱形成在所述第二鳍的至少一部分中，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，并且所述第二掺杂区位于所述第二阱中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一鳍在第二方向上纵长地延伸，

所述第二方向不同于所述第一方向，

所述第一阱在所述第一鳍中沿着所述第二方向延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述第二鳍在第二方向上纵长地延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

衬底，其中

所述第一鳍和所述第二鳍位于所述衬底上，或者由所述衬底限定所述第一鳍和所述第二鳍；

第一阱位于所述第一鳍以及所述衬底的在所述栅极的下部下方的一部分之中，并且

位于所述栅极下部下方的第一阱的宽度大于所述第一鳍的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一有源区；以及

与所述第一有源区分离的第二有源区，其中

所述第一鳍位于所述第一有源区上，并且

所述第二鳍位于所述第二有源区上。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

使所述第一有源区与所述第二有源区彼此分离的深槽隔离层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中

由衬底限定所述第一有源区和所述第二有源区，

所述衬底包括位于所述第一有源区与所述第二有源区之间并且位于所述栅极下部下方的漂移区，并且

所述半导体器件配置为：如果向所述栅极施加开启电压，则导通电流从所述第一掺杂区经由所述漂移区流至所述第二掺杂区。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中通过浅槽隔离将所述第一鳍限定在所述第一有源区中。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述第一有源区限定了在其中形成的多个第一鳍，

所述第二有源区限定了在其中形成的多个第二鳍，并且

所述栅极与所述多个第一鳍和所述多个第二鳍交叉。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

连接至所述第一掺杂区的第一走线，所述第一走线平行于所述第一鳍延伸；以及

连接至所述第二掺杂区的第二走线，所述第二走线平行于所述第二鳍延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一走线和所述第二走线位于M1走线平面中。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括

虚设栅极，其中

所述第一鳍包括第一长边和第一短边，

所述第二鳍包括第二长边和第二短边，并且所述第一长边与所述第二长边相对，并且

所述虚设栅极位于所述第一短边和所述第二短边上。