[发明专利]用于银纳米线的蚀刻剂组合物

说明书

本发明涉及一种用于沉积在柔性显示器用膜上的银纳米线的蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物包含磷酸、硝酸、乙酸和氟化合物。它可快速渗透到由于涂覆有保护涂层材料而难以进行图案化和蚀刻处理的银纳米线中，切断银纳米线，除去其导电性，因而蚀刻速率得到提高，由此它可提高蚀刻处理的效率。

技术领域

本发明涉及一种用于沉积在柔性显示器用膜上的银纳米线的蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物包含磷酸、硝酸、乙酸和氟化合物。

背景技术

随着聚焦于LCD和太阳能产业的薄显示器领域最近的快速扩展，对透明导电膜的需求激增。迄今为止，主要使用ITO(铟锡氧化物)作为透明导电膜材料。然而，ITO电极在玻璃基板的处理条件下制成，并且，在塑料基板上溅射的情况下，电极层的柔性不够。因此，它具有以下缺点：它难以用作柔性显示器用透明电极，而且制造成本过高。

因此，替代透明ITO电极的研究正在进行中。在这些研究中，银纳米线作为ITO的替代材料而被关注，并且，使其在各种应用(诸如触摸面板、太阳能电池、可再充电电池等)中市售可得的研究和开发正在进行中。

具体地，银纳米线替代ITO透明电极的信息技术(IT)设备用触摸屏面板(TSP)已被开发并且是市售可得的。在触摸屏面板的情况下，表面方阻值为80～120Ω/□，低于ITO膜的表面方阻值——200～400Ω/□。因此，有利于作成大的。以这种方式，需要开发用于银纳米线的蚀刻剂组合物，但是当使用常规蚀刻剂组合物时，已表现出以下缺点：由于过度蚀刻或不均匀蚀刻的银(Ag)而出现布线翘起或剥离，以及布线的侧面轮廓变差。

因此，韩国专利申请公布号10-2008-0110259公开了一种蚀刻剂组合物，其中，磷酸二氢钠(NaH₂PO₄)作为添加剂添加到由磷酸、硝酸、乙酸和水组成的常规蚀刻剂组合物中。然而，它已表现出以下局限性：当蚀刻为保护银纳米线而涂覆有保护涂层(overcoating)材料的银纳米线时，该蚀刻剂组合物不能快速渗透到在保护涂层材料内的银纳米线中，保护涂层材料中的蚀刻速率缓慢，因而蚀刻处理的效率低。

引文列表

专利文献

专利文献1：韩国专利申请公布号10-2008-0110259

发明内容

因此，本发明已考虑相关领域中遇到的问题，并且本发明的目的是提供一种蚀刻剂组合物，它可快速渗透到由于涂覆有保护涂层材料而难以进行图案化和蚀刻处理的银纳米线中，切断银纳米线，除去其导电性，因而蚀刻速率得到提高，由此它可提高蚀刻处理的效率。

为了实现上述目的，本发明提供一种用于沉积在柔性显示器用膜上的银纳米线的蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物包含磷酸、硝酸、乙酸和氟化合物。

根据本发明的一个实施方式，基于组合物的总重量，所述蚀刻剂组合物包含：

50～70重量％的磷酸；

5～9重量％的硝酸；

5～20重量％的乙酸；

0.1～7重量％的氟化合物；以及

余量的去离子水。

根据本发明的其它实施方式，所述氟化合物是选自由氟化铵(NH₄F)、氟化钠(NaF)、氟化钾(KF)、氟化氢铵(NH₄F·HF)、氟化氢钠(NaF·HF)和氟化氢钾(KF·HF)组成的组中的一种或多种。

根据本发明的其它实施方式，所述银纳米线涂覆有保护涂层材料。

根据本发明的其它实施方式，所述保护涂层材料以聚二甲基硅氧烷(PDMS)进行涂覆。