[发明专利]基于磁性纳米线阵列的低插入损耗自偏置微带环形器

权利要求书

1.基于磁性纳米线阵列的低插入损耗自偏置微带环形器，包括微带Y结匹配线、中心有圆柱体通孔的六棱柱介质层、金属底电极和圆柱体中心结，其特征在于，所述圆柱体中心结包括顶层绝缘层和底层绝缘层，以及顶层绝缘层和底层绝缘层之间的至少两层纳米线阵列层，相邻的纳米线阵列层之间为空气层；

所述纳米线阵列层包括软磁纳米线阵列和多孔氧化铝模板，软磁纳米线阵列设置于多孔氧化铝模板的纳米孔洞中；多孔氧化铝模板厚度为50-200um，孔隙比为50-80％，纳米孔洞直径为50-120nm，所用软磁纳米线长度为40-160um，材料为Fe,Co,Ni及其合金；

多孔氧化铝模板厚度为70um；纳米孔洞直径80nm，孔隙比为60％，所用纳米线材料为α-Fe，长度为60um。

2.如权利要求1所述的基于磁性纳米线阵列的低插入损耗自偏置微带环形器，其特征在于，

所述微带Y结匹配线的厚度5um,外臂长度2.8mm,外臂宽度0.65mm，内臂长度2.8mm，内臂宽度1.9mm，内圆半径2mm，材料为铜；

所述介质层的厚度250um，六棱柱内切圆半径7.6mm，内圆柱体通孔半径2mm，材料为聚四氟乙烯，型号为Rogers RO3003；

所述金属底电极设置于介质层和中心结底面，材料为铜；

所述中心结包含3层纳米线阵列层，按顶层绝缘层、纳米线阵列层、空气层、纳米线阵列层、空气层、纳米线阵列层、底层绝缘层的顺序自上而下依次排列；顶层绝缘层和底层绝缘层的厚度皆为5um，半径为2mm，绝缘层材料为聚四氟乙烯，空气层厚度15um，空气层半径2mm。