[发明专利]处理至少一个载体的方法以及处理设备有效
申请号: | 201510613602.9 | 申请日: | 2015-09-23 |
公开(公告)号: | CN105448664B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | J·特雷特纳;F·帕齐希 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 至少 一个 载体 方法 以及 设备 | ||
本发明的各个实施例涉及处理至少一个载体的方法以及处理设备。根据各个实施例,方法可以包括:用第一液体来填充腔室和耦接至腔室的管道,该管道从腔室向上延伸;将第二液体的部分引入到在管道中的第一液体中;以及从腔室至少部分地去除第一液体以将管道的内容物排空到腔室中,从而在腔室中的第一液体上设置通过引入的第二液体而获得的连续表面层。
技术领域
各个实施例大体涉及一种用于处理至少一个载体的方法和设备。
背景技术
一般而言,通过半导体技术处理的载体(例如,晶片)可以被粒子、灰尘、或者附着在载体的表面处(例如,主要在晶片的处理表面处)的其他沉积物污染。因此,在处理期间以及/或者在处理之后,可以使用至少一种处理工具,以便湿法清洁(wet cleaning)并且随后干燥载体。常规地,可以使用去离子水来清洗载体以及从载体的至少一个表面去除沉积物。在这点上,可以使用醇类(alcohol)蒸汽(例如,二甲基甲醇-也称为异丙醇、丙二醇、或者IPA)、或者呈气体、蒸汽、气雾(aerosol)形式的另一有机化合物,以便干燥载体而不会生成干燥残留物(例如,可以在干燥处理期间从载体完全去除去离子水)。常规地,可以对载体进行醇类蒸汽处理(例如,可以使醇类蒸汽吹过载体的湿表面),或者可以将载体从去离子水拉出,同时可以通过设置在水之上的醇类蒸汽在水表面上形成醇类表面层。通过使用清洁液,例如水(例如,去离子水),醇类可以允许对载体进行清洁并且利用所谓的马朗戈尼(Marangoni)效应(吉布斯马朗戈尼(Gibbs-Marangoni)效应)来有效地留下干燥的晶体表面。
发明内容
根据各个实施例,一种方法可以包括:用第一液体来填充腔室和耦接(couple)至腔室的管道(tube),该管道从腔室向上延伸;将第二液体的部分引入到在管道中的第一液体中;以及从腔室至少部分地去除第一液体以将管道的内容物排空到腔室中,从而在腔室中的第一液体上通过引入的第二液体提供连续表面层。
附图说明
在附图中,贯穿这些不同的视图,类似的附图标记一般表示相同的部分。附图并不一定是按比例绘出而成,相反重点一般放在图示本发明的原理上。在以下说明中,参考以下附图对本发明的各个实施例进行描述,其中:
图1A和图1B分别示出了根据各个实施例的处理设备的示意图;
图2A至图2E分别示出了根据各个实施例的在操作期间的各个步骤中的处理设备;
图3示出了根据各个实施例的处理设备的示意图;
图4A至图4D分别示出了根据各个实施例的在操作期间的各个步骤中的处理设备;
图5示出了根据各个实施例的用于处理载体的方法的示意性流程图;
图6A至图6G分别示出了根据各个实施例的在操作期间的各个步骤中的处理设备;
图6H示出了根据各个实施例的处理设备的示意性管道和阀门布局;
图7A至图7G分别示出了在根据各个实施例的操作期间的各个步骤中的处理设备;以及
图7H示出了根据各个实施例的处理设备的示意性管道和阀门布局。
具体实施方式
以下详细说明参考了通过图示的方式示出了具体细节和可以实践本发明的实施例的对应附图。
在本文中使用的词语“示例性”指“充当示例、实例或者图示”。在本文中描述为“示例性”的任何实施例或者设计不一定要解释为比其他实施例或者设计更加优选或者有利。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造