[发明专利]一种膜层图案化的方法有效
申请号: | 201510614255.1 | 申请日: | 2015-09-23 |
公开(公告)号: | CN105225929B | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 李丽;彭志龙;代伍坤;董宜萍 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/306 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图案 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种膜层图案化的方法。
背景技术
目前,基板内部重要部件包括多种具有图案的膜层,膜层图案化的制作过程中,各种异物容易落在待图案化膜层的表面,在刻蚀工艺时会留下该膜层的残留物,引起显示效果不良。
以有源层为例,现有的有源层图案化的方法,具体步骤包括:步骤一、如图1a所示,在衬底基板01上依次形成栅极图形、有源层薄膜02和光刻胶层薄膜03;步骤二、如图1b所示,对光刻胶层薄膜03进行曝光显影,在待形成有源层021对应的区域保留光刻胶031;步骤三、如图1c所示,对有源层薄膜02进行刻蚀,形成有源层021的图形;步骤四、如图1d所示,将有源层021图形上的光刻胶031进行剥离。图1c和1d示出了在刻蚀有源层薄膜02之后,留下了有源层残留物022,其发生的主要原因为刻蚀形成有源层图形之前,有异物落在了有源层薄膜上方,致使刻蚀进行不能将本应该刻蚀掉的图形区域刻蚀彻底,通常显示画面会形成亮点或不均匀等缺陷。从实际调查数据分析来看,以有源层为例,90%左右的有源层残留物来源于干刻刻蚀之前的异物,所以在刻蚀工艺之前保护膜层不受异物的侵害是非常重要的。
因此,如何在刻蚀工艺之前避免异物影响膜层的形成,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种膜层图案化的方法,可以保证进行刻蚀工艺前,能够抵御异物与待图案化膜层粘连,有效地阻挡刻蚀过程中异物对待图案化膜层的影响,从而提高产品良率。
因此,本发明实施例提供了一种膜层图案化的方法,包括:
在衬底基板表面形成待图案化膜层;
在所述衬底基板搬运至刻蚀设备以对所述待图案化膜层进行图案化之前,于所述待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层;
去除所述保护层并形成图案化掩膜,以所述图案化掩膜对所述待图案化膜层进行刻蚀形成图案化膜层。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中,所述待图案化膜层包括待去除区域和待保留区域。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中,在对所述待图案化膜层进行图案化之前,于所述待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层,具体包括:
在对所述待图案化膜层进行图案化之前,于所述待图案化膜层表面形成光刻胶层;
对所述光刻胶层进行曝光显影,以形成保护层;所述保护层对应覆盖所述待去除区域的膜层厚度小于对应覆盖所述待保留区域的膜层厚度。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中,对所述光刻胶层进行曝光显影,以形成保护层,具体包括:
采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影,以形成保护层。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中,所述掩膜板为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中,去除所述保护层并形成图案化掩膜,具体包括:
对所述保护层进行部分灰化,以形成图案化掩膜;所述图案化掩膜完全暴露所述待去除区域,并完全覆盖所述待保留区域。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中,在形成图案化膜层之后,还包括:
对所述图案化膜层上的图案化掩膜进行剥离。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中,所述图案化膜层为有源层、欧姆接触层、源漏电极、像素电极层或触控电极层。
本发明实施例的有益效果包括:
本发明实施例提供的一种膜层图案化的方法,该方法包括:首先在衬底基板表面形成待图案化膜层;然后在衬底基板搬运至刻蚀设备以对待图案化膜层进行图案化之前,于待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层;最后去除保护层并形成图案化掩膜,以图案化掩膜对待图案化膜层进行刻蚀形成图案化膜层。这样,这样带有保护层的待图案化膜层在搬运至刻蚀设备的过程中,直至进行刻蚀工艺前,都能够抵御异物与待图案化膜层粘连,可以有效地阻挡刻蚀过程中异物对待形成的图案化膜层的影响,达到提高产品良率的目的。
附图说明
图1a至图1d分别为现有技术中有源层图案化的方法在各步骤执行后的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的膜层图案化的方法流程图之一;
图3为本发明实施例提供的膜层图案化的方法流程图之二;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造