[发明专利]基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器有效
| 申请号： | 201510615325.5 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105337145B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王卓念;许坤远;陈溢杭 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 刻槽 半导体导电层 边棱音效应 太赫兹辐射 导电沟道 输入电极 衬底层 尖棱 辐射器结构 绝缘保护层 空隙形成 输出电极 相对设置 一端开口 常温下 频段 延伸 正对 穿透 | ||
1.一种基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，包括绝缘衬底层、设置在绝缘衬底层表面的半导体导电层、设置在半导体导电层表面的绝缘保护层、穿透半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极和输出电极；其特征在于：所述输入电极设置在半导体导电层一端外表面，所述输出电极设置在半导体导电层两侧外表面；所述半导体导电层为二维半导体导电层；所述绝缘刻槽包括第一绝缘刻槽、第二绝缘刻槽和第三绝缘刻槽；所述第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽相对设置，且二者之间的空隙形成一低导电沟道；所述第三绝缘刻槽一端为尖棱结构，且该尖棱正对所述低导电沟道远离输入电极一端开口；所述第三绝缘刻槽另一端延伸至所述半导体导电层一端边缘；所述第一绝缘刻槽一端和第二绝缘刻槽一端延伸至半导体导电层两侧表面。
2.根据权利要求1所述的基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，其特征在于：所述低导电沟道的宽度与半导体导电层的宽度比为1/50～1/10。
3.根据权利要求1所述的基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，其特征在于：所述低导电沟道远离输入电极一端开口与所述第三绝缘刻槽尖端的距离为100～500nm。
4.根据权利要求1所述的基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，其特征在于：所述第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽尺寸相同并对称设置；所述第三绝缘刻槽为三角形状，且其一个顶角正对所述低导电沟道远离输入电极一端开口，其一条边与所述半导体导电层一端边缘重合。
5.根据权利要求4所述的基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，其特征在于：所述第三绝缘刻槽正对所述低导电沟道的顶角为15°～120°。
6.根据权利要求1所述的基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，其特征在于：所述输出电极包括相对设置于半导体导电层位于所述第三绝缘刻槽所在区域两侧外表面的第一输出电极和第二输出电极。
7.根据权利要求1～5任一项所述的基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，其特征在于：所述半导体导电层为Ⅲ族化合物半导体，所述绝缘衬底层为未掺杂的本征半导体。
8.根据权利要求1～5任一项所述的基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，其特征在于：所述半导体导电层为AlGaN/GaN异质结，其包括AlGaN层、GaN层以及在AlGaN层和GaN层之间形成二维电子气层。
9.根据权利要求1～5任一项所述的基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，其特征在于：所述半导体导电层为AlGaAs/GaAs异质结，其包括AlGaAs层、GaAs层、以及在GaAs层设置的在AlGaAs层和GaAs层之间形成二维电子气层的δ掺杂区。
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