[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管，包括沿第一方向依次层叠设置的基板、金属遮光层、阻隔层、栅极绝缘层、栅极和内介电层，且所述薄膜晶体管沿第二方向并排形成外围区和像素区，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述金属遮光层和所述栅极均呈长条状且在所述第二方向上自所述外围区延伸至所述像素区，所述金属遮光层在所述第一方向上与所述栅极至少部分重叠，在所述外围区内，所述栅极贯穿所述栅极绝缘层和所述阻隔层连接所述金属遮光层。本发明所述薄膜晶体管具有较高电子迁移率。本发明还公开一种阵列基板。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管和一种阵列基板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。而薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)是液晶显示器中必不可少的控制器件，薄膜晶体管包括栅极、源极与漏极。薄膜晶体管通常可以采用非晶硅(a-Si)或多晶硅材料形成。研究显示，采用多晶硅材料形成的薄膜晶体管的性能比采用非晶硅材料形成的薄膜晶体管的性能高100多倍。多晶硅包括高温多晶硅(HTPS)和低温多晶硅(LTPS)，其中，采用低温多晶硅形成的薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，还能缩小薄膜晶体管的尺寸，因此广泛应用于液晶显示装置中，既实现了高开口率，又使得相应的显示装置具有高亮度、低耗电的优点。然而，随着对显示装置更高显示质量的需求，要求我们不断提高薄膜晶体管的迁移率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种具有较高电子迁移率的薄膜晶体管和一种采用该薄膜晶体管的阵列基板。

为了实现上述目的，本发明实施方式采用如下技术方案：

一方面，提供一种薄膜晶体管，包括沿第一方向依次层叠设置的基板、金属遮光层、阻隔层、栅极绝缘层、栅极和内介电层，且所述薄膜晶体管沿第二方向并排形成外围区和像素区，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述金属遮光层和所述栅极均呈长条状且在所述第二方向上自所述外围区延伸至所述像素区，所述金属遮光层在所述第一方向上与所述栅极至少部分重叠，在所述所述外围区内，所述栅极贯穿所述栅极绝缘层和所述阻隔层连接所述金属遮光层。

优选的，所述薄膜晶体管还包括位于所述像素区的有源区、源极和漏极，所述有源区位于所述阻隔层与所述栅极绝缘层之间且在所述第一方向与所述栅极居中对齐，所述源极贯通所述内介电层和所述栅极绝缘层连接至所述有源区的一端，所述漏极贯通所述内介电层和所述栅极绝缘层连接至所述有源区的另一端。

优选的，所述金属遮光层在所述第一方向上完全覆盖所述有源区。

优选的，所述有源区为N型金属氧化半导体。

优选的，所述有源区包括一多晶硅层和两个分别设置在所述多晶硅层两侧的N+型层，所述两个N+型层分别形成所述有源区的一端和所述有源区的另一端。

优选的，所述像素区包括至少两个所述栅极和至少两排像素单元，所述至少两个栅极和所述至少两排像素单元在所述第三方向上交替设置，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。

优选的，所述像素区还包括至少两条数据线，在所述第二方向上，所述每排像素单元包括至少两个像素单元，所述数据线与所述像素单元交替设置。

另一方面，还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括上述任一项所述的薄膜晶体管。

相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：