[发明专利]一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板有效

专利信息
申请号: 201510615724.1 申请日: 2015-09-23
公开(公告)号: CN105093816B 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 王轩;何明录;邓思 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G03F1/56 分类号: G03F1/56;G03F1/80;G03F1/76;G03F7/20
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 信号线 方法
【说明书】:

发明公开了一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板,方法包括在显示面板上形成信号线的材料层;在材料层上形成光致抗蚀剂层;使用掩膜板对光致抗蚀剂层进行光罩处理,以使光致抗蚀剂层形成阶梯状图案,且阶梯状图案化的光致抗蚀剂层包括第一类型曝光区域和第二类型曝光区域,其中,第一类型曝光区域的高度不同于第二类型曝光区域的高度;将阶梯状图案化的光致抗蚀剂层第一类型曝光区域去除,而保留第二类型曝光区域;利用剩余的光致抗蚀剂层的第二类型曝光区域作为掩膜对材料层进行蚀刻,以在显示面板上得到图案化的材料层。通过上述方式,本发明能够得到较窄线宽的信号线。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板。

背景技术

随着人们对显示器品质要求不断提高,显示器的分辨率也越来越高。为了提高显示器的分辨率,显示面板的信号线也需要做的更窄,这对生产工艺提出了更高的要求。

传统的生产工艺一般是采用较窄的掩膜进行曝光显影,以得到较窄的光刻胶,从而得到合适尺寸的信号线线宽,但是由于曝光设备的解析度是有限的,所以曝光显影之后,信号线所对应的光刻胶尺寸无法进一步减小,进而无法得到宽度更小的信号线。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板,能够得到较窄线宽的信号线。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种显示面板的信号线的制程方法,包括:

在所述显示面板上形成信号线的材料层;

在所述材料层上形成光致抗蚀剂层;

使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理,以使所述光致抗蚀剂层形成阶梯状图案,且所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层包括第一类型曝光区域和第二类型曝光区域,其中,所述第一类型曝光区域的高度不同于所述第二类型曝光区域的高度;

将所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层所述第一类型曝光区域去除,而保留所述第二类型曝光区域;

利用剩余的所述光致抗蚀剂层的所述第二类型曝光区域作为掩膜对所述材料层进行蚀刻,以在所述显示面板上得到图案化的材料层。

其中,所述掩膜板包括第一类型区域,第二类型区域和第三类型区域,其中,所述掩膜板的第一类型区域对应于所述光致抗蚀剂层的第一类型曝光区域,所述掩膜板的第二类型区域对应于所述光致抗蚀剂层的第二类型曝光区域,而所述掩膜板的第三类型区域对应于所述光致抗蚀剂层的第三类型曝光区域;且在使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理的过程中,去除所述光致抗蚀剂层的第三类型曝光区域,并部分地去除所述光致抗蚀剂层的第一类型曝光区域,以使所述光致抗蚀剂层形成阶梯状图案。

其中,所述掩膜板中的所述第一类型区域为部分透光部分,所述第二类型区域为非透光部分,而所述第三类型区域为全透光部分;对应地,所述光致抗蚀刻剂层中的所述第一类型曝光区域为部分曝光区域,所述第二类型曝光区域为非曝光区域,而所述第三类型曝光区域为全曝光区域。

其中,在使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理的过程中,利用蚀刻液去除所述光致抗蚀剂层中的全曝光区域,并部分地去除所述光致抗蚀剂层中的部分曝光区域。

其中,将所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层所述第一类型曝光区域去除,而保留所述第二类型曝光区域的步骤包括:

采用氩气和氧气形成等离子体;

将所述等离子体喷射至所述阶梯状的光致抗蚀剂层中的第一类型曝光区域,以使所述等离子体与所述第一类型曝光区域中的所述光致抗蚀剂层进行灰化反应,以去除所述光致抗蚀剂层中的所述第一类型曝光区域。

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