[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510617025.0 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106558609B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 许高博;殷华湘;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11345 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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