[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，阵列基板设有显示区和位于周边的框胶区，在阵列基板的显示区和框胶区之间设有挡水槽，其特征在于：阵列基板上形成有钝化层，挡水槽形成在钝化层中，所述挡水槽的下方具有蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层位于栅绝缘层上，所述栅绝缘层位于第一层金属上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述蚀刻阻挡层由半导体层材料制成的。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述蚀刻阻挡层由金属材料制成的。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述蚀刻阻挡层由形成数据线的金属材料制成的。

5.根据权利要求1-4任一所述的阵列基板，其特征在于：挡水槽上覆盖ITO薄膜。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：所述阵列基板为窄边框的阵列基板。

7.根据权利要求1-6任一所述阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在玻璃基板上形成第一层金属图形，通过第一层金属图形包括扫描线、第一金属走线、周边端子；

第二步：在形成上述图形的阵列基板上沉积栅绝缘层；

第三步：在形成上述图形的阵列基板上沉积半导体层，通过光刻工艺形成沟道层、以及位于周边的刻蚀阻挡层；

第四步：在形成上述图形的阵列基板上，沉积第二层金属薄膜，通过光刻工艺形成第二层金属图形，第二金属图形包括数据线、以及源漏电极；

第五步，在形成上述图形的阵列基板上，沉积钝化层；

第六步，在形成上述图形的阵列基板上，涂布光刻胶，通过光刻工艺，形成接触孔、以及位于蚀刻阻挡层上的凹部，该凹部为挡水墙；

第七步，在形成上述图形的阵列基板上，沉积ITO薄膜，通过光刻工艺，形成像素电极，端子电极。

8.根据权利要求1-6任一所述阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在玻璃基板上形成第一层金属图形，通过第一层金属图形包括扫描线、第一金属走线、周边端子；

第二步：在形成上述图形的阵列基板上沉积栅绝缘层；

第三步：在形成上述图形的阵列基板上沉积半导体层，通过光刻工艺形成沟道层；

第四步：在形成上述图形的阵列基板上，沉积第二层金属薄膜，通过光刻工艺形成第二层金属图形，第二金属图形包括数据线、源漏电极、和蚀刻阻挡层；

第五步，在形成上述图形的阵列基板上，沉积钝化层；

第六步，在形成上述图形的阵列基板上，涂布光刻胶，通过光刻工艺，形成接触孔、以及位于蚀刻阻挡层上的凹部，该凹部为挡水墙；

第七步，在形成上述图形的阵列基板上，沉积ITO薄膜，通过光刻工艺，形成像素电极，端子电极。

9.根据权利要求7-8任一所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第七步，在所述挡水槽上也覆盖有ITO薄膜。

10.根据权利要求7-8任一所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述挡水槽位于第一金属走线区域内。