[发明专利]用于半导体器件的铝合金引线框以及相对应的制造方法在审

专利信息
申请号: 201510618398.X 申请日: 2015-09-24
公开(公告)号: CN105489583A 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: L·切里亚尼;P·克雷马;A·米诺蒂 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/28;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体器件 铝合金 引线 以及 相对 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

裸片,包括半导体材料;

引线框,包括支撑所述裸片的支撑板和电耦合到所述裸片的引 线,其中所述引线框为铝合金,所述铝合金包括百分比在1%和1.5% 之间的硅;以及

封装件,包括对所述裸片进行密封的密封材料,其中部分的所述 引线从所述封装件中伸出。

2.根据权利要求1所述的器件,包括:在所述封装件内的至少 一个电键合接线,被直接耦合到所述引线的至少一个引线的第一端并 且第二端耦合到所述裸片的接触焊垫。

3.根据权利要求1所述的器件,其中:

从所述封装件中伸出的所述部分的引线被配置为直接与另一器 件或板的接触焊垫耦合。

4.根据权利要求1所述的器件,其中所述裸片被直接耦合到所 述引线框的支撑板的表面。

5.根据权利要求1所述的器件,其中所述裸片通过粘合剂被耦 合到所述引线框的支撑板的表面。

6.根据权利要求1所述的器件,其中所述铝合金进一步包括百 分比在0.25%和0.6%之间的镁。

7.根据权利要求1所述的器件,其中所述半导体器件为功率器 件。

8.一种用于制造半导体器件的方法,包括:

将半导体裸片耦合到引线框的支撑板,所述引线框包括铝合金, 所述铝合金包括百分比在1%和1.5%之间的硅,所述引线框包括引线; 以及

形成包括用于密封所述裸片的密封材料的封装件,其中部分的所 述引线从所述封装件中伸出。

9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:

将键合接线的第一端直接电耦合到所述引线的第一端;以及

将键合接线的第二端电耦合到所述裸片的接触焊垫。

10.根据权利要求8所述的方法,进一步包括将从所述封装件伸 出的部分直接耦合到另一器件或板的接触焊垫。

11.根据权利要求8所述的方法,其中将所述裸片耦合到所述支 撑板包括将所述裸片的背表面焊接到所述支撑板的上表面。

12.根据权利要求9所述的方法,进一步包括在将所述裸片耦合 到所述支撑板之前,清洁所述引线框。

13.根据权利要求8所述的方法,其中所述铝合金进一步包括百 分比在0.25%到0.6%之间的镁。

14.根据权利要求8所述的方法,其中所述半导体器件为功率器 件。

15.一种封装体,包括:

包括裸片焊垫和引线的引线框,所述引线框为铝合金,所述铝合 金包含在1%到1.5%之间的硅;

半导体裸片,被耦合到所述裸片焊垫的表面;

导电接线,将所述半导体裸片的键合焊垫电耦合到所述引线的第 一部分;以及

封装件,将所述裸片和所述导电接线进行密封,所述引线的第二 部分从所述封装件中延伸出。

16.根据权利要求15所述的封装体,其中所述铝合金的剩余部 分为铝。

17.根据权利要求15所述的封装体,其中所述铝合金包含百分 比在0.25%到0.6%之间的镁。

18.根据权利要求15所述的封装体,其中所述引线为第一引线, 所述封装体进一步包括第二引线,所述第二引线具有在所述封装件中 的第一部分以及从所述裸片焊垫延伸出的第二部分。

19.根据权利要求15所述的封装体,其中所述引线的第二部分 被配置为直接耦合到另一器件或衬底的接触焊垫。

20.根据权利要求15所述的封装体,其中所述封装体为功率器 件。

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