[发明专利]以纳米颗粒作为电荷俘获层的杂化电介质非易失性存储器在审
| 申请号： | 201510618655.X | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106409834A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 孙彩明;赵春;王嘉俊 | 申请（专利权）人： | 纳米及先进材料研发院有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/115;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 武晨燕,迟姗 |
| 地址： | 中国香港九龙清水湾香港科技大学赛马会*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 颗粒 作为 电荷 俘获 电介质 非易失性存储器 | ||
【权利要求书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
