[发明专利]一种磁场传感器在审

专利信息
申请号: 201510620563.5 申请日: 2015-09-27
公开(公告)号: CN105116356A 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 夏百战;石世光;骆昊 申请(专利权)人: 电子科技大学中山学院
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07;G01R33/09
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528402 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁场 传感器
【权利要求书】:

1.一种磁场传感器,包括磁场传感器模块(2)和屏蔽外壳(1),在所述屏蔽外壳(1)上设有导磁孔(2),所述磁场传感器模块(2)的感应面与所述导磁孔(2)相对,其特征在于:所述磁场传感器模块(2)包括:磁性传感器模块,用于将钞票上的磁性信号转换成电压信号,其输出端连到模拟信号处理单元;放大电路,用于将磁性传感器模块的模拟输出信号进行放大,其输出端连到通道选择电路;通道选择电路,用于实现对传感器多路通道的切换,其输出端连到数模转换电路;数字信号处理单元,用于采集数字化后的磁性数据,并对其进行滤波、识别处理,处理结果通过外部接口输送给其他设备。

2.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于:所述的数字信号处理单元包括:

主处理器,用于实现磁性数字信号的采集、滤波、识别处理,同时完成和外部的数据通讯;所述的存储器,用于存储采集的磁性数据。

3.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于:所述的放大电路包含带通滤波电路。

4.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于:所述屏蔽外壳(1)的内侧,且在设置所述导磁孔(2)的顶壁与与所述顶壁相邻的侧壁的连接位置处设有倒角。

5.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于:在设置所述导磁孔(2)的顶壁的内侧设有朝向所述顶壁的外表面凹进的凹部。

6.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于:设置所述导磁孔(2)的顶壁的壁厚小于与其相邻的侧壁的壁厚。

7.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于:所述磁场传感器模块(2)的感应面与设置所述导磁孔(2)的顶壁的外表面之间的距离小于或等于3μm。

8.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于:还包括多个焊针(4),所述焊针(4)分别与所述磁场传感器模块(2)的信号端、接地端、电压输入端电连接。

9.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于:所述磁性传感器模块包括至少两条彼此平行的磁敏感薄膜、用于电连接所述磁敏感薄膜的薄膜电极以及导线,利用所述导线和所述磁敏感薄膜的薄膜电极将所述磁敏感薄膜连接成惠斯通电桥电路。

10.根据权利要求9所述的磁场传感器,其特征在于:所述磁敏感薄膜包括巨磁阻磁敏感薄膜、各向异性磁阻磁敏感薄膜、隧穿效应磁阻磁敏感薄膜、巨磁阻抗效应磁阻磁敏感薄膜、霍尔效应薄膜或巨霍尔效应薄膜。

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