[发明专利]用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法

权利要求书

1.一种用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法，其特征在于：该方法利用化学溶剂，并按照预定的侵蚀区域大小、侵蚀时间来加工侵蚀晶体基板，从而实现晶体基板指定区域厚度按预定的设计形式改变，实现化学腐蚀的倒边效果，再制成晶体谐振器；所述的化学溶剂氟化氢氨NH₄HF₂水溶液；

化学溶剂侵蚀方法是通过控制侵蚀时间、化学溶剂浓度来实现晶体基板分段分区的厚度和刚度的改变；通过分段加工，将需要改变厚度的长度分成若干等分，然后从边缘到中间部位，腐蚀时间逐段递减，实现厚度改变逐段减少，形成厚度梯度变化的加工效果。

2.根据权利要求1所述的用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法，其特征在于：所述的晶体基板为石英晶体基板或者其他晶体材料基板。

3.根据权利要求1所述的用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法，其特征在于：所述的氟化氢氨NH₄HF₂水溶液为在40℃～70℃条件下溶解得到的质量浓度为45-70%的氟化氢氨NH₄HF₂水溶液。

4.根据权利要求1所述的用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法，其特征在于：加工时，保持氟化氢氨NH₄HF₂水溶液的温度在40℃～70℃。

5.根据权利要求1所述的用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法，其特征在于：所述的晶体基板为矩形或者圆形。

6.根据权利要求1所述的用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法，其特征在于：通过化学侵蚀改变晶体其板表面的材料弹性常数，从而改变厚度剪切振动频率，改变剪切振动与其它寄生振动模态的耦合，最终改善谐振器的谐振电阻指标。

7.根据权利要求1所述的用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法，其特征在于：其具体步骤如下：

（1）准备具有一定的设计形状的晶片；在40℃～70℃条件下溶解得到质量浓度为45-70%的氟化氢氨NH₄HF₂水溶液，装入容器中，采用恒温箱加热使容器内化学溶剂的温度保持在40℃～70℃；准备掩膜夹具，夹具应以遮挡掩盖住中间晶片为原则，避免溶剂侵蚀；准备仪器记录分段侵蚀区域晶体频率和加工时间；

（2）根据已经设计的倒边方案要求，将进行侵蚀加工的晶体基板的长度端部浸入化学溶剂内，浸入时间需要按照溶液的侵蚀特性和对晶体基板的腐蚀效果来确定，侵蚀效果根据控制晶体谐振频率高低变化来判断，即进行腐蚀加工、测试、腐蚀加工、测试的循环加工测试达到预定的倒边方案要求。

8.根据权利要求7所述的用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法，其特征在于：步骤（2）中，采取分段侵蚀的方式加工，造成在中间侵蚀量较少，端部侵蚀最多，实现砂磨效果一样的倒边效果。