[发明专利]一种对阻值动态变化的负载进行不平衡并联调压供电电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种供电电路，特别涉及一种对阻值动态变化的负载进行不平衡并联调压供电电路。

背景技术

在化学沉积法生产多晶硅的多晶硅硅棒调压电源系统中，如果多晶硅硅棒有并联调压的需要时，现有的解决方案是采用平衡的并联支路方式连接负载，使每一个平衡的并联支路的调压，例如，申请号为：200910058454.3的发明专利《一种多晶硅还原电源硅棒并串联的控制回路》和申请号为：201120238067.0的实用新型专利《一种变化负载的串并联供电电路》，涉及到阻值动态变化的负载并联调压供电电路的解决方案都是对负载进行平衡并联调压的描述和保护。

在多晶硅还原炉内的多晶硅硅棒的分组，一般有以下几种固定模式：每组3对棒、每组6对棒、每组4对棒、每组8对棒等情况，基本上没有每组5对棒、每组7对棒、每组9对棒等非常规的分组方式，相应地，对于这些多晶硅还原炉内的特殊分组方式，现有技术却未提供一种调压电源解决方案。

发明内容

本发明的目的在于克服现有化学沉积法生产多晶硅的多晶硅硅棒调压电源系统在多晶硅硅棒有并联调压的需要时，只能提供平衡的并联支路方式连接负载，对每一个平衡的并联支路进行调压的问题，提供一种对阻值动态变化的负载进行不平衡并联调压供电电路。

为了实现上述发明目的，本发明提供了以下技术方案：

一种对阻值动态变化的负载进行不平衡并联调压供电电路，包括多个独立调压器，每一个所述调压器独立连接一个负载支路，每一个所述负载支路的另一端连接在一起形成一个公共连接端，且至少有2个所述负载之路上的负载数量不相等，输入给每一个所述调压器的电压经调压后输出给与其连接的负载支路。

优选的，在任意2个所述负载支路中的，负载数量多的负载支路，其连接的调压器的输出电压大于负载数量少的负载支路所连接的调压器的输出电压。

优选的，其特征在于，每一个所述调压器均连接同一变压器，所述变压器内不同电压的电压抽头分别对每一个所述调压器进行供电。

优选的，任意2个所述调压器中，输出电压大的调压器连接的抽头的电压大于输出电压小的调压器连接的抽头的电压。

优选的，每一个所述调压器独立连接一个变压器。

优选的，所述变压器相互连接形成的公共连接点与每一个所述公共连接端连接。

优选的，所述公共连接点为零电位点。

优选的，任意2个所述调压器中，输出电压大的调压器所连接的变压器的输出电压大于输出电压小的调压器所连接的变压器的输出电压。

优选的，所述调压器由晶闸管或IGBT组成。

与现有技术相比，本发明的有益效果：在化学沉积法生产多晶硅的多晶硅硅棒调压电源系统进行并联调压硅棒分组时，提供了每组5对棒、每组7对棒、每组9对棒等非常规的分组方式，为工业生产提供了一种全新的方案选择。

附图说明

图1为实施例1的一种对阻值动态变化的负载进行不平衡并联调压供电电路结构示意图；

图2为具有12对硅棒的一种对阻值动态变化的负载进行不平衡并联调压供电电路结构示意图；

图3为实施例3中的具有独立变压器的不平衡供电电路的结构示意图；

图中标记：1-第一调压器，11-第一负载支路，110-一对硅棒，2-第二调压器， 21-第二负载支路，210-负载支路公共连接端，3-变压器，310-变压器公共连接点。

具体实施方式

下面结合试验例及具体实施方式对本发明作进一步的详细描述。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本发明内容所实现的技术均属于本发明的范围。

实施例1

本实施例提供的一种对阻值动态变化的负载进行不平衡并联调压供电电路，包括2个独立调压器，以及连接2个所述调压器输入端为其提供输入电压的变压器，2个所述调压器分别连接所述变压器的不同电压的抽头。

其中，所述调压器是由晶闸管或IGBT组成的一种交流电力控制装置，这是一种通过调节晶闸管或IGBT的控制角可以按需要（例如，恒定输出电流或电压或功率或导通角等方式）改变输入电源的波形的交流电源装置，此为现有技术在此不再赘述。