[发明专利]一种高电容密度的埋入式电容的制备方法

权利要求书

1.一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，包括以下步骤实现：

S1、使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂取代BaTiO₃粉体的晶体结构中部分Ti原子的位点，以实现对所述BaTiO₃粉体的掺杂改性；

S2、表面修饰经步骤S1处理后的所述BaTiO₃粉体；

S3、将经步骤S2处理后的所述BaTiO₃粉体与聚合物进行混合和搅拌，形成混合浆料，所述聚合物为聚酰亚胺；

S4、将所述混合浆料涂覆在铜箔单面上，然后进行预固化处理，使得所述铜箔单面覆上介电薄膜；

S5、将两个经步骤S4处理后的所述铜箔的覆有介电薄膜的一面相对贴合，获得双面覆铜介电板；

S6、将所述双面覆铜介电板进行热压贴合，最终得到埋入式电容。

2.如权利要求1所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述掺杂取代的方法有Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法。

3.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述Mg掺杂的固相反应法如下：

称量Ba(OH)₂·8H₂O粉体，溶于乙二醇甲醚中，按照化学计量比Ba/Ti＝1.06～1.03称量[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti，溶于甲醇中；

按照化学计量比Mg/Ti为0.03～0.06称量Mg(OH)₂粉体，将所述Ba(OH)₂·8H₂O与[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti溶液混合、搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述Mg(OH)₂粉体；充分搅拌后形成凝胶；

将所述凝胶陈化6h后，再置于烘箱中80℃干燥，得到干燥的凝胶，然后将所述凝胶于700℃下煅烧2h，得到Mg掺杂的BaTiO₃粉体，经过球磨后，得到粒径约为0.01～2.0μm的Mg掺杂的BaTiO₃粉体。

4.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述Mg掺杂的水热反应法如下：

称量TiCl₄液体，按照1g的TiCl₄液体对应8～9mL水的比例缓慢地滴加于冰水中，形成TiCl₄溶液；按照1g的TiCl₄液体对应3.15gBaCl₂的比例称量BaCl₂，并溶于水中，形成BaCl₂溶液；

按照1g的TiCl₄液体对应0.015gMgCl₂的比例称量MgCl₂粉体；将所述BaCl₂溶液与所述TiCl₄溶液混合搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述MgCl₂粉体；充分搅拌后，按照1g的TiCl₄液体对应20mLNaOH溶液比例加入2mol/L的NaOH溶液，再次充分搅拌后置于高压不锈钢反应釜中，填充比为60％；在230℃的水热条件下保温14h后，将沉淀物过滤洗涤，去除Cl离子，获得过滤物；

将所述过滤物在90℃下干燥24h，然后球磨，得到粒径约为1.0μm的Mg掺杂的BaTiO₃粉体。