[发明专利]一种高电容密度的埋入式电容的制备方法在审
申请号: | 201510622108.9 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN105140029A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 张仕通;王锋伟;崔成强 | 申请(专利权)人: | 安捷利(番禺)电子实业有限公司 |
主分类号: | H01G4/20 | 分类号: | H01G4/20;H05K1/16 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 肖云 |
地址: | 511458 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容 密度 埋入 制备 方法 | ||
1.一种高电容密度的埋入式电容的制备方法,其特征在于,包括以下步骤实现:
S1、使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂取代BaTiO3粉体的晶体结构中部分Ti原子的位点,以实现对所述BaTiO3粉体的掺杂改性;
S2、表面修饰经步骤S1处理后的所述BaTiO3粉体;
S3、将经步骤S2处理后的所述BaTiO3粉体与聚合物进行混合和搅拌,形成混合浆料,所述聚合物为聚酰亚胺;
S4、将所述混合浆料涂覆在铜箔单面上,然后进行预固化处理,使得所述铜箔单面覆上介电薄膜;
S5、将两个经步骤S4处理后的所述铜箔的覆有介电薄膜的一面相对贴合,获得双面覆铜介电板;
S6、将所述双面覆铜介电板进行热压贴合,最终得到埋入式电容。
2.如权利要求1所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法,其特征在于:所述步骤S1中,所述掺杂取代的方法有Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法。
3.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述Mg掺杂的固相反应法如下:
称量Ba(OH)2·8H2O粉体,溶于乙二醇甲醚中,按照化学计量比Ba/Ti=1.06~1.03称量[CH3(CH2)3O]4Ti,溶于甲醇中;
按照化学计量比Mg/Ti为0.03~0.06称量Mg(OH)2粉体,将所述Ba(OH)2·8H2O与[CH3(CH2)3O]4Ti溶液混合、搅拌,搅拌过程中,加入称量好的所述Mg(OH)2粉体;充分搅拌后形成凝胶;
将所述凝胶陈化6h后,再置于烘箱中80℃干燥,得到干燥的凝胶,然后将所述凝胶于700℃下煅烧2h,得到Mg掺杂的BaTiO3粉体,经过球磨后,得到粒径约为0.01~2.0μm的Mg掺杂的BaTiO3粉体。
4.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述Mg掺杂的水热反应法如下:
称量TiCl4液体,按照1g的TiCl4液体对应8~9mL水的比例缓慢地滴加于冰水中,形成TiCl4溶液;按照1g的TiCl4液体对应3.15gBaCl2的比例称量BaCl2,并溶于水中,形成BaCl2溶液;
按照1g的TiCl4液体对应0.015gMgCl2的比例称量MgCl2粉体;将所述BaCl2溶液与所述TiCl4溶液混合搅拌,搅拌过程中,加入称量好的所述MgCl2粉体;充分搅拌后,按照1g的TiCl4液体对应20mLNaOH溶液比例加入2mol/L的NaOH溶液,再次充分搅拌后置于高压不锈钢反应釜中,填充比为60%;在230℃的水热条件下保温14h后,将沉淀物过滤洗涤,去除Cl离子,获得过滤物;
将所述过滤物在90℃下干燥24h,然后球磨,得到粒径约为1.0μm的Mg掺杂的BaTiO3粉体。
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