[发明专利]低功耗超宽带低噪声放大器

权利要求书

1.一种低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：

输入级电路，该输入级电路的输入端接收信号输入端输入的输入信号；

两级共射阻容耦合放大级电路，该两级共射阻容耦合放大级电路的输入端连接所述输入级电路的输出端，对所述输入信号进行放大，并输出放大后的信号；

输出缓冲级电路，该输出缓冲级电路的输入端与所述两级共射阻容耦合放大级电路的输出端连接，输出所述放大后的信号至信号输出端。

2.根据权利要求1所述的低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述输入级电器包括：第一异质结双极型晶体管(Q1)以及第二异质结双极型晶体管(Q2)；其中，

所述第一异质结双极型晶体管(Q1)的基极分别与第三电阻(R3)的第二端、第五电感(L5)的第二端以及第五电容(C5)的第一端连接；

所述第一异质结双极型晶体管(Q1)的发射极分别与第五电容(C5)的第二端和第七电感(L7)的第一端连接；

所述第一异质结双极型晶体管(Q1)的集电极与第二异质结双极型晶体管(Q2)的发射极连接；

所述第二异质结双极型晶体管(Q2)的集电极分别与第三电感(L3)的第二端和第四电容(C4)的第一端，且所述第三电感(L3)的第一端与第一电阻(R1)的第二端连接。

3.根据权利要求2所述的低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述两级共射阻容耦合放大级电路包括：第三异质结双极型晶体管(Q3)以及第四异质结双极型晶体管(Q4)；其中，

所述第三异质结双极型晶体管(Q3)的基极与第四电容(C4)的第二端连接；

所述第三异质结双极型晶体管(Q3)的集电极分别与第三电容(C3)的第二端和第四电感(L4)的第二端连接；

所述第三异质结双极型晶体管(Q3)的发射极与第六电感(L6)的第一端连接；

所述第四异质结双极型晶体管(Q4)的基极分别与第三电容(C3)的第一端和第二电阻(R2)的第二端连接，所述第二电阻(R2)的第一端与所述第二电感(L2)的第一端连接；

所述第四异质结双极型晶体管(Q4)的集电极分别与第二电感(L2)的第二端和第一电感(L1)的第二端及第二电容(C2)的第一端连接；

所述第四异质结双极型晶体管(Q4)的发射极分别与第一电容(C1)的第一端和第四电感(L4)的第一端连接。

4.根据权利要求3所述的低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述输出缓冲级电路包括：第五异质结双极型晶体管(Q5)；其中，

所述第五异质结双极型晶体管(Q5)的基极分别与第二电容(C2)的第二端和第四电阻(R4)的第二端连接；

所述第五异质结双极型晶体管(Q5)的集电极分别与第六电感(L6)的第二端和第六电容(C6)的第一端连接；

所述第五异质结双极型晶体管(Q5)的发射极与第五电阻(R5)的第一端连接。

5.根据权利要求4所述的低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，

所述第二异质结双极型晶体管(Q2)的基极和第一电阻(R1)的第一端均与第一电压源(V1)连接；

所述第一电感(L1)的第一端连接第二电压源(V2)；

所述第三电阻(R3)的第一端连接第三电压源(V3)；

所述第四电阻(R4)的第一端连接第四电压源(V4)；

所述第七电感(L7)的第二端、第一电容(C1)的第二端、第六电容(C6)的第二端及第五电阻(R5)的第二端均与接地端连接；

所述信号输入端连接第五电感(L5)的第一端；

所述第五异质结双极型晶体管(Q5)的发射极和第五电阻(R5)的第一端均与信号输出端连接。

6.根据权利要求5所述的低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一异质结双极型晶体管(Q1)、第二异质结双极型晶体管(Q2)、第三异质结双极型晶体管(Q3)、第四异质结双极型晶体管(Q4)以及第五异质结双极型晶体管(Q5)均为硅锗异质结双极型晶体管。

7.根据权利要求6所述的低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第二电压源(V2)提供直流偏置电压，且第二电压源的电压等于2.84V。