[发明专利]一种物理不可克隆芯片电路

权利要求书

1.一种物理不可克隆芯片电路，其特征在于，包括M行N列工作于亚阈值区域的MOSFET阵列和自动校零比较器，MOSFET阵列与所述的自动校零比较器相连,MOSFET阵列包括以PMOS为负载的M行N列NMOS；物理不可克隆芯片电路的输入信号经译码后选中对应的NMOS导通，选中的NMOS和对应行中的负载PMOS组成单极CMOS放大器，MOSFET阵列的输出端依次输出电压值各不相同的电压；自动校零比较器不断地将MOSFET阵列输出的前一个电压与后一个电压进行比较，在陆续比较的过程中，自动校零比较器的输出端输出物理不可克隆芯片电路的应答信号。

2.根据权利要求1所述的物理不可克隆芯片电路，其特征在于，MOSFET阵列中M条行电路并接，行电路包括行地址线、N根列地址线、第一PMOS、第二PMOS、N个NMOS和第二NMOS；行地址线中串有行开关，列地址线中串有列开关；NMOS分别串联在列地址线中，列地址线的一端接行地址线，另一端接地；第一PMOS和第二PMOS的源极接电源，第二PMOS的漏极接行地址线的一端，行地址线的另一端接MOSFET阵列的输出端；第一PMOS的漏极接第二NMOS的漏极，第二NMOS的源极接地；全部NMOS的栅极和第二NMOS的栅极相连，并连接第一PMOS的漏极；第一PMOS的栅极和第二PMOS的栅极接同一控制电压，为第一PMOS和第二PMOS提供静态工作点。

3.根据权利要求1所述的物理不可克隆芯片电路，其特征在于，自动校零比较器包括第一限流反相器、第二限流反相器、电容和电子开关，电容的第一端接MOSFET阵列的输出端，第二端接第一限流反相器；第一限流反相器的输出端接第二限流反相器的输入端，第二限流反相器的输出端为物理不可克隆芯片电路的输出端，电子开关跨接在第一限流反相器的输入端与输出端之间。

4.根据权利要求3所述的物理不可克隆芯片电路，其特征在于，MOSFET阵列第i次的输出的信号为V_i时，电子开关闭合，第一限流反相器输入端的电压为V_x；MOSFET阵列第i+1次的输出的信号为V_i+1时，电子开关断开，第一限流反相器输入端的电压为V_i+1-V_i+V_x；如果V_i+1-V_i+V_x高电平，则经过两个限流反相器后，输出为高电平；如果V_i+1-V_i+V_x为低电平，则经过两个限流反相器后，输出为低电平。

5.根据权利要求3所述的物理不可克隆芯片电路，其特征在于，限流反相器包括第三NMOS、第四NMOS和第五NMOS，第三PMOS、第四PMOS和第五PMOS，第三PMOS和第五PMOS的源极接电源，第三NMOS和第五NMOS的源极接地；第三PMOS的漏极接第四PMOS的源极，第四NMOS的源极接第三NMOS的漏极；第五PMOS的漏极接第五NMOS的漏极，第五PMOS的栅极接第五PMOS的漏极；第四PMOS的栅极和第四NMOS的栅极连接在一起作为限流反相器的输入端，第四PMOS的漏极接第四NMOS的漏极作为限流反相器的输出端；第五NMOS的栅极作为限流反相器控制电压的输入端。