[发明专利]基于铜(I)离子的用于白青铜的不含氰化物的电镀浴

权利要求书

1.一种电镀浴，其包含一种或多种铜(I)离子源、一种或多种合金锡离子源、任选地一种或多种合金银离子源、一种或多种具有下式的化合物：

X-S-Y(I)

其中X和Y可以相同或不同并且可以是经取代或未经取代的酚基、HO-R-或-R'S-R"-OH，其中R、R'和R"可以相同或不同并且是具有1到20个碳原子的直链或支链亚烷基；和一种或多种四唑，其中所述电镀浴中所述一种或多种四唑比所述铜(I)离子的摩尔比是≥1，并且所述一种或多种四唑比所述一种或多种式(I)化合物的摩尔比是0.05到4，所述电镀浴是不含氰化物的。

2.根据权利要求1所述的电镀浴，其中X和Y不同并且是HO-R-或-R'-S-R"-OH，并且R、R'和R"可以相同或不同。

3.根据权利要求1所述的电镀浴，其中所述一种或多种四唑具有下式：

其中M是氢、NH₄、钠或钾，并且R₁是经取代或未经取代的直链或支链(C₂-C₂₀)烷基或经取代或未经取代的(C₆-C₁₀)芳基。

4.一种电镀方法，其包含：

a)使衬底与电镀浴接触，所述电镀浴包含一种或多种铜(I)离子源、一种或多种合金锡离子源、任选地一种或多种合金银离子源、一种或多种具有下式的化合物：

X-S-Y(I)

其中X和Y可以相同或不同并且可以是经取代或未经取代的酚基、HO-R-或-R'S-R"-OH，其中R、R'和R"可以相同或不同并且可以是具有1到20个碳原子的直链或支链亚烷基；和一种或多种四唑，其中所述电镀浴中所述一种或多种四唑比所述铜(I)离子的摩尔比是≥1，并且所述一种或多种四唑比所述一种或多种式(I)化合物的摩尔比是0.05到4，所述电镀浴是不含氰化物的；和

b)在所述衬底上电镀铜/锡合金或任选地铜/锡/银合金。

5.根据权利要求4所述的方法，其中X和Y不同并且是HO-R-或-R'-S-R"-OH，并且R、R'和R"可以相同或不同。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述一种或多种四唑具有下式：

其中M是氢、NH₄、钠或钾，并且R₁是经取代或未经取代的直链或支链(C₂-C₂₀)烷基或经取代或未经取代的(C₆-C₁₀)芳基。

7.根据权利要求4所述的方法，其进一步包含在所述铜/锡合金或所述铜/锡/银合金上电镀银、金、钯或铬的精饰层。