[发明专利]阵列基板、透光钝化膜及液晶显示面板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体而言涉及一种阵列基板、透光钝化膜及液晶显示面板的制造方法。

背景技术

对于诸如FFS(FringeFieldSwitching，边缘场开关技术)模式的液晶显示面板，其阵列基板(即Array基板)的衬底基材上形成有三层薄膜，依次为公共电极层、钝化层、像素电极层。当前，业界通常使用超过285℃的高温溅射方法形成钝化层。但是在高温溅射的过程中，用于形成钝化层的钝化材料的颗粒活性较高，导致在最终形成的钝化层的表面上产生较多颗粒状的突起，从而严重影响液晶显示面板的穿透率。

发明内容

鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、透光钝化膜及液晶显示面板的制造方法，以减少形成于钝化层表面上的突起，提高穿透率。

本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基材上形成第一透光导电膜；在不超过200℃的温度于第一透光导电膜上形成透光钝化膜；在透光钝化膜上形成第二透光导电膜。

其中，所述在衬底基材上形成第一透光导电膜的步骤包括：在第一预设温度下于衬底基材上形成第一透光导电膜，并在形成第一透光导电膜后进行退火，所述第一预设温度大于200℃。

其中，所述在衬底基材上形成第一透光导电膜的步骤包括：在非加热状态下于衬底基材上形成第一透光导电膜。

其中，所述在透光钝化膜上形成第二透光导电膜的步骤包括：在第二预设温度下于透光钝化膜上形成第二透光导电膜，并在形成第二透光导电膜后进行退火，所述第二预设温度大于200℃。

其中，第一预设温度和第二预设温度相等。

其中，所述在透光钝化膜上形成第二透光导电膜的步骤包括：在非加热状态下于透光钝化膜上形成第二透光导电膜。

其中，所述在不超过200℃的温度于第一透光导电膜上形成透光钝化膜的步骤还包括：在透光钝化膜上刻蚀形成接触孔，以使第二透光导电膜通过接触孔和阵列基板的薄膜晶体管的源极或漏极电连接。

其中，第一透光导电膜为公共电极层，且第二透光导电膜为像素电极层。

本发明实施例还提供一种透光钝化膜的制造方法，透光钝化膜夹设于公共电极层和像素电极层之间，且公共电极层临近设置于阵列基板上，该方法包括：在200℃的温度下于公共电极层上形成透光钝化膜。

本发明实施例进一步提供一种的液晶显示面板的制造方法，包括：在衬底基材上形成公共电极层；在200℃的温度下于公共电极层上形成透光钝化膜；在透光钝化膜上形成像素电极层。

本发明实施例的阵列基板、透光钝化膜及液晶显示面板的制造方法，采用低温形成钝化层，降低钝化材料的颗粒活性，从而减少产生于钝化层的表面上的颗粒状的突起，提高液晶显示面板的穿透率。

附图说明

图1是本发明的阵列基板的制造方法一实施例的流程示意图；

图2是本发明的阵列基板一实施例的结构剖视图；

图3是本发明的阵列基板的制造方法另一实施例的流程示意图；

图4是本发明的液晶显示面板一实施例的结构剖视图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明所提供的示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。

图1是本发明的阵列基板的制造方法一实施例的流程示意图。所述方法用于形成三层膜结构，该三层膜结构包括依次层叠的第一透光导电膜、透光钝化膜和第二透光导电膜，如图1所示，所述方法包括：

S11：在衬底基材上形成第一透光导电膜。

S12：在不超过200℃的温度于第一透光导电膜上形成透光钝化膜。

S13：在透光钝化膜上形成第二透光导电膜。

第一透光导电膜和第二透光导电膜的材料可以相同，例如两者均可以为ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)透明导电膜，透光钝化膜是一种透光但不导电的钝化薄膜。在例如FFS模式的液晶显示面板中，第一透光导电膜可以为公共电极层，且第二透光导电膜为像素电极层，则对应地，透光钝化膜为设置于公共电极层和像素电极层之间的钝化层(PassivationLayer，又称PV层或平坦钝化层)。

区别于现有技术的使用超过285℃的高温溅射方法形成透光钝化膜(钝化层)，本发明实施例采用不超过200℃的低温形成钝化层，能够降低形成钝化层的钝化材料的颗粒活性，从而减少产生于钝化层的表面上的颗粒状的突起，提高液晶显示面板的穿透率。