[发明专利]用于MEMS传感器器件的晶片级封装及对应制造工艺

权利要求书

1.一种MEMS器件(29)，具有晶片级封装(28)，包括：第一裸片(3)和第二裸片(4)的堆叠，限定在所述封装(28)内的至少第一内表面(4a，3a)以及在所述封装(28)外并且限定所述封装(28)的第一外面(28b)的第一外表面(4b)；

在所述第一内表面上的电接触焊盘；

模塑化合物(16)，涂覆所述第一裸片(3)和所述第二裸片(4)的所述堆叠的至少一部分并且具有限定所述封装(28)的与所述第一外面(28b)相对的第二外面(28a)的至少一部分的正表面(16a)，

垂直连接结构(30)，在所述电接触焊盘上，所述垂直连接结构具有面对所述第一内表面的表面，并且所述垂直连接结构朝向所述模塑化合物(16)的所述正表面(16a)延伸，所述垂直连接结构具有侧面，其在所述封装的外部侧面处暴露；以及

外连接元件(32)，在所述模塑化合物(16)的正表面(16a)处的所述垂直连接结构(30)的端部处，并且在所述第二外面(28a)处暴露至所述封装(28)的外侧。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述外连接元件(32)由粘合性可焊接材料(26，26b)制成。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述垂直连接结构(30)由所述外连接元件(32)的相同粘合性可焊接材料(26)制成。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述垂直连接结构(30)由导电材料(26a)制成，所述导电材料(26a)不同于所述外连接元件(32)的粘合性可焊接材料(26b)。

5.根据之前权利要求中任一项所述的器件，其中，所述第二裸片(4)具有限定所述第一内表面(4a)的正表面以及限定所述第一外表面(4b)的背表面，所述第一裸片(3)在其正表面处附接在所述第二裸片(4)上；以及其中所述垂直连接结构(30)从所述第二裸片(4)的所述正表面向上延伸至所述模塑化合物(16)的所述正表面(16a)。

6.根据权利要求1－4中任一项所述的器件，其中，所述第一裸片(3)具有附接在所述第二裸片(4)上的背表面(3b)以及限定所述第一内表面(3a)的正表面；以及其中所述垂直连接结构(30)从所述第一裸片(3)的正表面向上延伸至所述模塑化合物(16)的正表面(16a)。

7.根据权利要求1－4中任一项所述的器件，其中，所述垂直连接结构(30)在所述模塑化合物(16)的所述正表面(16a)处具有第一宽度(W₁，W₂)；并且所述外连接元件(32)具有大于所述第一宽度(W₁，W₂)的第二宽度(W₃)。

8.根据权利要求1－4中任一项所述的器件，其中，所述第一裸片(3)集成所述MEMS器件(29)的微机械感测结构(S)，并且所述第二裸片(4)集成所述MEMS器件(29)的电子电路(A)，所述电子电路(A)可操作地耦合至所述微机械感测结构(S)并且在所述电接触焊盘(13)处提供已处理的输出信号。

9.根据权利要求1－4中任一项所述的器件，其中，所述垂直连接结构(30)是以下项之一：单片柱体；垂直引线；导电元件的堆叠。