[发明专利]一种低功耗半有源半无源宽带下混频器

权利要求书

1.一种低功耗半有源半无源宽带下混频器，其特征在于，包括由四个基本电流镜构成的电流镜放大器、内嵌的无源开关核与直流偏置电压电路；其中电流镜放大器的输入与输出晶体管作为混频器的输入级与输出级，无源开关核作为混频器的开关级，两者无缝连接成为一个单一的半有源半无源混频元件。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗半有源半无源宽带下混频器，其特征在于，所述的混频器的输入级包括第一NMOS管、第四NMOS管、第七PMOS管、第十PMOS管、第一电容和第二电容；射频差分信号的一路RF+连接第一电容的正极，通过第一电容的负极输入到第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的栅极与漏极相连；第七PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连，第七PMOS管的源极接电源VCC，第七PMOS管的栅极与直流偏置电压电路通过二极管连接方式相连；射频差分信号的一路RF-连接第二电容的正极，通过第二电容的负极输入到第四NMOS管的漏极，第四NMOS管的源极接地，第四NMOS管的栅极与漏极相连；第十PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极相连，第十PMOS管的源极接电源VCC，第十PMOS管的栅极与直流偏置电压电路通过二极管连接方式相连。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗半有源半无源宽带下混频器，其特征在于，所述的混频器的开关级包括相互正交的第十七NMOS管、第十八NMOS管、第十九NMOS管、第二十NMOS管；第十七NMOS管和第二十NMOS管的栅极相连，并接至本振差分信号的一路LO+；第十八NMOS管和第十九NMOS管的栅极相连，并接至本振差分信号的一路LO-；第十七NMOS管和第十八NMOS管的漏极相连，并连接至第一NMOS管的栅极；第十九NMOS管和第二十NMOS管的漏极相连，并连接至第四NMOS管的栅极；第十七NMOS管的源极与第二NMOS管的栅极相连，第十八NMOS管的源极与第三NMOS管的栅极相连；第十九NMOS管的源极与第六NMOS管的栅极相连，第二十NMOS管的源极与第五NMOS管的栅极相连。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗半有源半无源宽带下混频器，其特征在于，所述的混频器的输出级包括第二NMOS管、第三NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第三电容和第四电容；第二NMOS管、第三NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管的源极接地，第八PMOS管、第九PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管的源极接电源VCC；第二NMOS管、第六NMOS管、第八PMOS管、第十二PMOS管的漏极相连，并连接至第四电容的正极，通过第四电容的负极接至中频差分信号的一路IF-；第三NMOS管、第五NMOS管、第九PMOS管、第十一PMOS管的漏极相连，并连接至第三电容的正极，通过第三电容的负极接至中频差分信号的一路IF+；第八PMOS管、第九PMOS管的栅极与直流偏置电压电路通过二极管连接方式相连；第十一PMOS管、第十二PMOS管的栅极与直流偏置电压电路通过二极管连接方式相连。

5.根据权利要求1所述的一种低功耗半有源半无源宽带下混频器，其特征在于，所述的混频器的直流偏置电压电路包括第十四NMOS管、第十六NMOS管、第十三PMOS管、第十五PMOS管、第五电容和第六电容；第十三PMOS管、第十五PMOS管的源极接电源VCC，第十四NMOS管、第十六NMOS管的源极接地；第五电容的负极接地，正极连接至第十三PMOS管与第十四NMOS管的漏极，第六电容的负极接地，正极连接至第十五PMOS管与第十六NMOS管的漏极；第十三PMOS管栅极与漏极相连，并连接至第十四NMOS管的漏极与栅极；第十三PMOS管栅极与第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管的栅极相连，为第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管提供直流偏置电压；第十五PMOS管栅极与漏极相连，并连接至第十六NMOS管的漏极与栅极；第十五PMOS管栅极与第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管的栅极相连，为第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管提供直流偏置电压。