[发明专利]一种描边生长ZnO的方法有效
| 申请号： | 201510626575.9 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105154974B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王亮;陆文强;刘双翼;李昕;李振湖;石彪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/60;C30B7/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 尹丽云 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 zno 方法 | ||
1.一种描边生长ZnO的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)选取衬底，在洗净的衬底表面旋涂S1800系列光刻胶，光刻胶的旋涂厚度为0.5-2.0μm，光刻出图案；
(2)将光刻后的衬底等离子处理，处理时间为1-5min，形成等离子体的射频功率为100-200W；
(3)将步骤(2)中等离子处理后的衬底置于硝酸锌与六次甲基四胺的混合水溶液中反应，混合水溶液中硝酸锌与六次甲基四胺的浓度均为0.01-0.5mol/L，硝酸锌与六次甲基四胺的摩尔比为1:1，制得沿图案边沿描边生长的ZnO棒，ZnO棒沿光刻图案边缘形核生长描出所需图案。
2.根据权利要求1所述的描边生长ZnO的方法，其特征在于：步骤(1)中S1800系列光刻胶为S1805或S1818光刻胶。
3.根据权利要求1所述的描边生长ZnO的方法，其特征在于：所述衬底与ZnO的晶格失配度≤5％。
4.根据权利要求3所述的描边生长ZnO的方法，其特征在于：所述衬底为GaN。
5.根据权利要求1所述的描边生长ZnO的方法，其特征在于：步骤(2)中衬底等离子处理的工作气体为空气、氮气或氩气，工作气压为50-300Pa。
6.根据权利要求1所述的描边生长ZnO的方法，其特征在于：步骤(3)中混合水溶液的温度为70-100℃，衬底在混合水溶液中的反应时间为1-6h。
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