[发明专利]附着物除去方法在审
申请号: | 201510626589.0 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN105458940A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 清水千博;涩谷纪仁 | 申请(专利权)人: | 新东工业株式会社 |
主分类号: | B24C1/00 | 分类号: | B24C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 附着物 除去 方法 | ||
技术领域
本发明涉及附着物除去方法。
背景技术
以往,在半导体设备的制造和形成有硬质皮膜的夹具的制造等中使用成膜工艺。这些成膜工艺中使用的夹具上会附着成模的材料。该附着物有可能导致制品特性的劣化等,因此需要定期地除去附着物。例如,半导体设备的制造工艺中使用的成膜装置具备:载置作为被处理材料的晶片的托盘、将被处理材料保持在托盘上的规定的位置的基座、以及与基座相对地设置且用于控制腔室内的气流的相对板等夹具。这些夹具是考虑到温度和环境等使用条件而形成的。例如,托盘是由SiC或在表面涂覆了SiC的碳形成,基座是由碳形成,相对板是由石英玻璃形成。
作为附着于这种夹具的附着物的除去方法,专利文献1中公开了通过将半导体制造装置用的碳化硅制夹具在10体积%以上的硝酸盐酸水溶液或氢氟酸硝酸水溶液中浸渍30分钟以上来溶解除去附着物的方法。此外,作为除去硬质皮膜的方法,专利文献2中公开了通过对形成了TiN和TiCN等硬质皮膜的处理对象表面喷射比硬质皮膜硬的磨粒的喷砂加工来除去硬质皮膜的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平8-78375号公报
专利文献2:日本特开2006-305694号公报
发明内容
作为硬质的附着物附着于由容易受损的材料构成的夹具的情况的例子,例如,作为成膜工艺使用有机金属气相生长法(MOCVD法)时,有时GaN和Si3N4等硬质被膜附着于夹具。在这种情况下,由于托盘、基座和相对板等的夹具以石英玻璃或碳为主材料而形成,因此与附着物的硬度差变大。即,成为在容易受损的夹具的表面存在硬质的附着物的状态。
在专利文献1中记载的技术那样的使用药液溶解除去附着物的方法中,为了除去这种硬质皮膜需要数小时的时间,作业效率差。因此,需要准备备用的夹具。此外,由于将夹具浸渍于药液中,所以需要大的浸渍槽和大量的药液。
此外,如专利文献2中记载的技术那样想利用硬质的磨粒除去附着物时,成膜工艺中一般使用的夹具在除去硬质的附着物的时候会暴露于非常强的加工状态。其结果,存在夹具的表面受到大的损伤的问题。尤其是使用由石英玻璃或碳构成的夹具时,夹具的表面显著受损。
因此,本发明的目的是提供一种附着物除去方法,是将成膜工艺中附着于夹具的附着物除去的附着物除去方法,可以减少夹具的损伤且能高效地进行硬质的附着物的除去。
本发明的一方面所涉及的附着物除去方法是将成膜工艺中附着于夹具的附着物从夹具除去的方法。该附着物除去方法包括下述的(1)~(3)。(1)准备喷射材料,其包含具有弹性的核和由硬质粒子构成的研磨材料且使研磨材料粘合于核的表面而成。(2)对夹具的表面从倾斜方向喷射喷射材料。(3)在喷射材料与夹具的表面碰撞时核发生弹性变形,使研磨材料在夹具的表面沿面方向位移,从而除去附着物。一个实施方式中,喷射材料可以是使研磨材料从核的表面突出而成的喷射材料,也可以是利用粘合剂使研磨材料粘合于核的表面而成的喷射材料。
根据该附着物除去方法,通过对夹具的表面从倾斜方向喷射具备具有弹性的核的喷射材料,使存在于核表面的小的研磨材料随着核的变形沿面方向位移,从而可以除去附着物。即,该附着物除去方法与使用以往的喷射材料的附着物除去方法那样的通过利用喷射材料的碰撞的冲击除去附着物的方法不同,是新的附着物除去方法。喷射材料与夹具碰撞时核产生弹性变形,因此可以减少喷射材料对夹具的冲击,并且可以通过小的加工单元,用对夹具的负荷小的沿面方向的力除去附着物。因此,可以减少夹具的损伤。此外,仅对夹具喷射喷射材料就可从夹具除去附着物,因此可以简单且以短时间进行附着物的除去。
一个实施方式中,附着物也可以比夹具更为硬质。
除去比夹具硬质的附着物时,容易对夹具产生大的损伤,但通过使用上述附着物除去方法,能够减少夹具的损伤且可高效地进行硬质的附着物的除去。
一个实施方式中,喷射材料的核可以由橡胶构成。
喷射材料的核由天然橡胶或各种合成橡胶形成时,可以制成可得到喷射材料与夹具碰撞时的冲击力且不损伤夹具的硬度的喷射材料。进而,可以设为与夹具碰撞时可充分地变形的弹性模量,因此可以增大沿着夹具的表面的研磨材料的位移,可以有效地除去附着物。
一个实施方式中,喷射材料的核的平均粒径可以是0.1~2.0mm。
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