[发明专利]高压肖特基二极管器件有效
| 申请号： | 201510626613.0 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105161546B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 杨新杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 重掺杂P型区 高压P阱 肖特基二极管器件 外围 重掺杂 肖特基二极管 场氧隔离 耐压能力 不接触 接触孔 俯视 环绕 包围 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压肖特基二极管器件,其结构包含：
一N型深阱；
在N型深阱的外围，俯视平面上，有一环形的高压P阱环绕包围N型深阱，且与N型深阱不接触；
高压P阱中还具有重掺杂P型区；
在N型深阱中，具有环形的P阱，以及位于环形P阱外围环形的N阱，P阱与N阱之间以场氧隔离；
P阱中具有重掺杂P型区，N阱中具有重掺杂N型区，重掺杂P型区和重掺杂N型区上有接触孔形成引出；
其特征在于：
所述N型深阱和其外围的高压P阱是位于一P型埋层之上，所述P型埋层往外侧延伸，高压P阱和N型深阱的投影都位于P型埋层范围之内。
2.如权利要求1所述的高压肖特基二极管器件，其特征在于：所述N型深阱底部与P型埋层接触。
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