[发明专利]静电吸盘、对晶圆进行吸附的方法

权利要求书

1.一种可设定静电吸力分布的静电吸盘，静电吸盘顶部具有绝缘材料，其特征在于，包括：

在绝缘材料中镶嵌有两个及以上成对的正电极和负电极，所有所述正电极位于静电吸盘中心线的一侧，所有所述负电极位于静电吸盘中心线的另一侧，且每一对所述正电极和所述负电极的分布均以所述静电吸盘中心线为对称轴；

探测部件，用于探测位于所述静电吸盘上表面的晶圆的弯曲位置和弯曲度，以得到探测数据；并且向控制部件发送所述探测数据；

控制部件，用于接收所述探测部件发送的所述探测数据，并且根据所述探测数据控制施加于所述弯曲位置区域和非弯曲位置区域分别对应的所述正电极和所述负电极之间的电压，从而使所述正电极和所述负电极产生与所述晶圆的弯曲位置和弯曲度相匹配的静电吸力分布；其中，所述弯曲位置与所述静电吸盘的距离越大的区域所施加的静电吸力越大，所述弯曲度越大的所述弯曲位置所施加的静电吸力越大。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘在所述正电极和所述负电极所在平面的投影面被所述正电极和所述负电极布满。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述正电极和所述负电极的分布以所述静电吸盘的中心线为中心轴构成同心圈；每一个圈上具有两对及以上的所述正电极和所述负电极。

4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述控制部件控制施加于所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述晶圆的弯曲位置所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压大于所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压，从而使得所述晶圆的弯曲位置受到的静电吸力大于所述晶圆非弯曲位置受到的静电吸力。

5.根据权利要求4所述的静电吸盘，其特征在于，所述晶圆的弯曲位置呈弧面时，所述控制部件控制施加于所述弧面所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压沿所述弧面上与所述静电吸盘距离最大的位置向所述弧面上与所述静电吸盘距离最小的位置递减。

6.根据权利要求5所述的静电吸盘，其特征在于，当所述晶圆的中心区域向上弯曲呈弧面时，所述控制部件控制施加于所述晶圆的边缘区域所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述弧面所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压沿所述弧面中心到所述弧面边缘递减。

7.根据权利要求5所述的静电吸盘，其特征在于，当所述晶圆的边缘区域向上弯曲呈弧面时，所述控制部件控制施加于所述晶圆的中心区域所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述弧面所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压沿所述弧面的边缘到所述弧面的中心递减。

8.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，当所述晶圆不具有弯曲位置时，所述控制部件控制施加于整个所述晶圆区域所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压相等。

9.一种根据权利要求1所述的静电吸盘对晶圆进行吸附的方法，其特征在于，包括：

步骤01：将所述晶圆置于所述静电吸盘上；

步骤02：所述探测部件探测所述晶圆的弯曲位置和弯曲度，以得到探测数据；

步骤03：所述探测部件将所述探测数据发送给所述控制部件；

步骤04：所述控制部件控制施加所述弯曲位置区域和非弯曲位置区域分别对应的所述正电极和所述负电极之间的电压，从而使所述正电极和所述负电极产生与所述晶圆的弯曲位置和弯曲度相匹配的静电吸力分布，以使所述晶圆与所述绝缘材料均匀接触；其中，所述弯曲位置与所述静电吸盘的距离越大的区域所施加的静电吸力越大，所述弯曲度越大的所述弯曲位置所施加的静电吸力越大。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述控制部件控制施加所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述晶圆的弯曲位置所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压大于所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压，从而使得所述晶圆的弯曲位置受到的静电吸力大于所述晶圆非弯曲位置受到的静电吸力。