[发明专利]一种基于聚环氧乙烷和聚3-己基噻吩的电双稳器件及其制备方法

说明书

本发明涉及一种基于聚环氧乙烷和聚3‑己基噻吩的电双稳器件及其制备方法。本发明所述的三种不同结构的电双稳器件均由基底、功能层和电极层构成。第一种结构器件的功能层是由PEO和P3HT组成的共混单层，器件最大开关比达103；第二种结构器件的功能层是由P3HT层和PEO层组成的双层，其中P3HT层靠近基底，PEO层靠近电极层，器件最大开关比达104；第三种结构器件的功能层是由PEO层和P3HT层组成的双层，其中PEO层靠近基底，P3HT层靠近电极层，器件最大开关比达104。本发明所述的电双稳器件及其制备方法，制备工艺简单、成本低、柔韧性好、结构多变、器件尺寸小、轻薄方便。

技术领域

本发明涉及有机光电子技术领域，具体说是一种基于聚环氧乙烷(PEO)和聚3-己基噻吩(P3HT)的电双稳器件及其制备方法。

背景技术

电双稳态是半导体存储元件的基本特性，其主要现象为：器件在相同的外加电压下会出现两种不同的导电状态。具体来说，当在器件功能层薄膜两边施加电压时，随着电压的变化，器件的导电状态也随之发生变化。当外加电压撤除时，发生转变的导电状态可以保持很长时间。且施加反向电压又可以使器件的导电状态还原，分别对应了存储元件的写入、读取和擦除过程。

近年来，随着信息技术向低碳化、低成本、便携式、高容量及快速响应方向发展，以无机半导体为介质的存储技术已经逐渐达到了发展极限，而基于有机材料作为功能层制备的存储元件具有成本低、工艺简单、柔韧性好、结构多变、器件尺寸小等优点，从而成为极具应用前景的存储器，重新获得学术界的关注，并且取得了迅速的发展。同时，聚合物薄膜由于其制备简单且效果稳定，获得了大家的广泛关注。利用不同的聚合物的物理化学特性，经过退火处理，使器件具有电荷存储能力，可以制作出性能良好的电双稳器件，在有机存储领域有较好的应用前景。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种基于聚环氧乙烷和聚3-己基噻吩的电双稳器件及其制备方法，制备工艺简单、成本低、柔韧性好、结构多变、器件尺寸小、轻薄方便。

为达到以上目的，本发明采取的技术方案是：

一种基于聚环氧乙烷和聚3-己基噻吩的电双稳器件，其特征在于，包括：从下至上依次设置的基底1、功能层2、电极层3；

所述功能层2为由PEO和P3HT组成的共混单层，

或所述功能层2为PEO层和P3HT层上下叠置组成的双层，

P3HT层靠近基底1，PEO层靠近电极层3，

或PEO层靠近基底1，P3HT层靠近电极层3。

在上述技术方案的基础上，所述基底1为附有导电材料的玻璃基片，所述导电材料为氧化铟锡。

在上述技术方案的基础上，所述电极层3为铝电极层。

在上述技术方案的基础上，功能层2为由PEO和P3HT组成的共混单层的制备步骤为：

步骤1，分别称量聚3-己基噻吩P3HT、聚环氧乙烷PEO并置于同一个棕色小瓶中，再往小瓶中加入氯苯溶液；

步骤2，将瓶中溶液进行50℃加热，同时磁力搅拌，使其充分溶解，得到P3HT与PEO的共混溶液；

步骤3，使用清洗剂将基底1清洗干净，再将其依次置入去离子水、丙酮和酒精中浸泡，并各超声30分钟，经氮气流干燥后，在紫外臭氧环境中处理15分钟；

步骤4，将所得的P3HT与PEO的共混溶液旋涂于基底1上，再将所得的样品放在热台上进行退火处理，形成功能层2；