[发明专利]一种氮化物系发光二极管的外延生长方法有效
| 申请号： | 201510627355.8 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105206719B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;陈亮 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市翔安区厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
1.一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一衬底；
S2：在所述衬底上依次形成非掺层u-GaN、n型导电层n-GaN、有源区和限制层P-AlGaN；
S3：在所述限制层P-AlGaN上形成V型坑蚀刻层；
S4：在所述V型坑蚀刻层上形成V型坑成核层；
S5：在所述V型坑成核层上形成V型坑三维快速层；
S6：在所述V型坑三维快速层上形成V型坑二维快速层；
S7：在所述V型坑二维快速层上依次形成P型导电层、P型接触层和ITO导电层。
2.根据权利要求1所述的一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，其特征在于：所述步骤S3中采用的外延条件为：反应室压力50mbar，反应室温度900度，生长速率TMGa流量4sccm，大盘转速1000转/秒。
3.根据权利要求1所述的一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，其特征在于：所述步骤S4中采用的外延条件为：反应室压力700mbar，反应室温度800度，生长速率TMGa流量30sccm，大盘转速100转/秒。
4.根据权利要求1所述的一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，其特征在于：所述步骤S5中采用的外延条件为：反应室压力700mbar，反应室温度900度，生长速率TMGa流量45sccm，大盘转速100转/秒。
5.根据权利要求1所述的一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，其特征在于：所述步骤S6中采用的外延条件为：反应室压力150mbar，反应室温度1000度，生长速率TMGa流量80sccm，大盘转速1000转/秒。
6.根据权利要求1所述的一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，其特征在于：还包括一n电极，所述n电极制作在通过蚀刻工艺暴露出的部分n型导电层n-GaN之上。
7.根据权利要求6所述的一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，其特征在于：还包括一电极隔离层，所述电极隔离层制作在所述n电极和所述有源区、限制层P-AlGaN、V型坑蚀刻层、V型坑成核层、V型坑三维快速层、V型坑二维快速层、P型导电层、P型接触层以及ITO导电层之间。
8.根据权利要求1所述的一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，其特征在于：还包括一p电极，所述p电极制作在所述ITO导电层之上。
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