[发明专利]一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201510628151.6 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105272327B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 翁宇飞;张其笑 | 申请(专利权)人: | 王莎 |
主分类号: | C04B35/81 | 分类号: | C04B35/81;C04B35/584 |
代理公司: | 台州蓝天知识产权代理有限公司33229 | 代理人: | 王卫兵 |
地址: | 318000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种晶须增强压电陶瓷材料,其特征在于,由包含以下重量份的组分制成:
氮化硅 55-60 份,
聚乙烯醇 10-15 份,
二氧化锆 10-12 份,
锂霞石 5-8 份,
碳化硅晶须 4-7 份,
聚碳硅烷 3-6 份,
聚铝硅氧烷 2-4 份,
氧化铜 2-3 份,
钛酸四丁脂 1-3 份,
二硫化钼 1-2 份,
过硫酸铵 0.5-1 份,
氧化铕 0.02-0.5 份。
2.根据权利要求1 所述晶须增强压电陶瓷材料,其特征在于,所述组分还包括电气石粉0-2 重量份。
3.根据权利要求1 所述晶须增强压电陶瓷材料,其特征在于,所述组分还包括色粉0-1重量份。
4.一种晶须增强压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
(1)称取氮化硅55-60 重量份、聚乙烯醇10-15 重量份、聚碳硅烷3-6 重量份、聚铝硅氧烷2-4 重量份、氧化铜2-3 重量份、钛酸四丁脂1-3 重量份、二硫化钼1-2 重量份、过硫酸铵0.5-1 重量份和氧化铕0.02-0.5 重量份,混合均匀;
(2)在惰性气氛下加入二氧化锆10-12 重量份、锂霞石5-8 重量份、碳化硅晶须4-7 重量份、电气石粉0-2 重量份和色粉0-1 重量份,升温至900-1100℃,保温2-3 小时,压制成型,在1250-1350℃中烧结2-4 小时;
(3)将步骤(2)的产物,以10℃ /min 的降温速率,降温至700-800℃,保温2-3 小时,自然冷却,得到晶须增强压电陶瓷材料。
5.根据权利要求4 所述的晶须增强压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述混合的速率为800-1200 转/ 分钟。
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