[发明专利]N型双面电池及其制作方法

说明书

本发明涉及一种N型双面电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理；在N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p++重掺杂区域；在N型硅片的第二表面上涂覆磷掺杂源，采用第三激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n+掺杂区域，并采用第四激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n++重掺杂区域；再在第一表面上依次制备钝化减反射膜层和电极。上述N型双面电池及其制作方法，降低对N型硅片的热损伤，且能提高电池转换率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种N型双面电池及其制作方法。

背景技术

太阳能电池是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，其中，N型太阳能电池具有寿命长、无光衰和转换效率高等优点，且N型太阳能电池的工艺流程相对简单，利于大规模产业化。此外，N型双面电池的两面均可接受太阳光，发电能力较强。

一般地，为了提高N型双面电池的电池转换率，N型双面电池采用高温扩散的方式进行PN结、N+高低结、n++重掺杂和p++重掺杂等的制备，需要经过两次管式高温热扩散工艺。高温会对硅片产生热损伤，且工艺时间长。

发明内容

基于此，有必要针对如何制得掺杂和重掺杂同时不损伤N型硅片的问题，提供一种N型双面电池及其制作方法。

一种N型双面电池的制作方法，包括如下步骤：

将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理；

在所述N型硅片的第一表面上涂覆硼掺杂源，采用第一激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p++重掺杂区域，所述p+掺杂区域和所述p++掺杂区域构成第一掺杂层；

在所述N型硅片的第二表面上形成磷掺杂源层，采用第三激光参数，对所述第二表面进行激光处理，在所述第二表面上形成n+掺杂区域，并采用第四激光参数，对所述第二表面进行激光处理，在所述第二表面上形成n++重掺杂区域，所述n+掺杂区域和所述n++掺杂区域构成第二掺杂层；

在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上分别形成第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层；

在所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层上分别制备电极。

在其中一个实施例中，在所述将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理的步骤中，采用含有碱、异丙醇、添加剂以及水的混合溶液，对所述N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理，所述碱、异丙醇、制绒添加剂以及水的质量比为2.5:10:0.5:87。