[发明专利]一种多芯组瓷介电容器引线的制备方法及引线

权利要求书

1.一种多芯组瓷介电容器的引线制备方法，多芯组瓷介电容器的引线制备包括引线外形制作、引线打弯及引线表面处理；所述的引线包括上引线和下引线，通过将上引线和下引线方向相反打弯，使得多芯组瓷介电容器中的片式瓷介电容器芯片能够垂直并联，以此提高瓷介电容器的容量体积比。

2.如权利要求1所述的多芯组瓷介电容器的引线制备方法，其特征在于：所述的引线外形制作是通过采用冲裁模具冲裁的方法或化学液蚀的方法将铁镍合金带或铜带制作出引线的外形，使其符合下一步工序所需的片状的坯料。

3.如权利要求1所述的多芯组瓷介电容器的引线制备方法，其特征在于：所述的引线打弯是采用打弯模具分别对上引线和下线线进行打弯，使上引线和下引线打弯成“Z”字形，上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲，使两个打弯方向相反。

4.如权利要求1所述的多芯组瓷介电容器的引线制备方法，其特征在于：所述的引线表面处理是在引线打弯以后对引线进行表面镀层处理。

5.如权利要求1所述的多芯组瓷介电容器的引线制备方法，其特征在于：所述的多芯组瓷介电容器的引线制备的具体工艺如下：

采用冲裁模具或化学液蚀刻方法将铁镍合金带或铜带冲裁出或蚀刻出打弯形状的引线外形；

采用两个不同的打弯模具分别对上引线和下线线进行打弯，使上引线和下引线打弯成“Z”字形，上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲使两个打弯方向相反，其弯曲角度为85°～90°；

打弯后的引线采用挂镀的方式放入纯锡镀液或铅锡镀液中在其表面镀一层纯锡层或铅锡层，镀层的厚度在5um～30um。

6.一种按照权利要求1所述方法制作的多芯组瓷介电容器的引线，包括上引线和下引线，所述的上引线和下引线都为片状结构的引线，上引线和下引线外形为“Z”字形，且上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲，使两半引线的弯折方向相反。

7.如权利要求6所述的多芯组瓷介电容器的引线，其特征在于：所述的上引线和下引线分别向上或下两个方向弯曲，每一次弯曲的角度为85°～90°。

8.如权利要求6所述的多芯组瓷介电容器的引线，其特征在于：所述的上引线和下引线表面分别镀有金属镀层；所述的镀层为纯锡层或铅锡层，镀层的厚度在5um～30um。

9.如权利要求6所述的多芯组瓷介电容器的引线，其特征在于：所述的下引线包括下引线引出部分、下引线连接部分和下引线打弯部分；上引线包括上引线引出部分、上引线连接部分和上引线打弯部分；下引线打弯部分的宽度大于引出部分的宽度和连接部分的宽度。

10.如权利要求6所述的多芯组瓷介电容器的引线，其特征在于：所述的多组引线通过框架连接为一体，按照上下组配平行排列，外部通过框架连接起来。