[发明专利]基于银纳米星自组装的微流控3D SERS衬底制备方法

权利要求书

1.一种基于银纳米星自组装的微流控3D SERS衬底制备方法，其特征在于，制备得到的衬底具有多孔和3D结构，包括以下步骤：

步骤1，在微流控芯片的微通道中通入偶联剂溶液，所述微流控芯片的制作方法：首先用王水超声清洗玻璃片；然后用水冲洗、烘干；最后让玻璃片与硅橡胶键合形成微流控芯片；所述偶联剂溶液为APTES溶液或PSS溶液；通入偶联剂溶液后，通入去离子水去除多余未吸附的偶联剂溶液；

步骤2，在步骤1通入过偶联剂溶液的微通道中通入与偶联剂溶液电性相反的银纳米星溶液；通入银纳米星溶液后，通入去离子水去除多余未吸附的银纳米星溶液；

步骤3，依次重复进行步骤1和2。

2.根据权利要求1所述的基于银纳米星自组装的微流控3D SERS衬底制备方法，其特征在于：所述步骤1中，将偶联剂溶液以0.2ul/min-0.8ul/min的流速注入微流控芯片中，时间为0.5-2小时。

3.根据权利要求1所述的基于银纳米星自组装的微流控3D SERS衬底制备方法，其特征在于：所述步骤2中，将银纳米星溶液以0.2ul/min-0.8ul/min的流速注入微流控芯片中，时间为0.5-2小时。

4.根据权利要求3所述的基于银纳米星自组装的微流控3D SERS衬底制备方法，其特征在于：所述步骤1中，将偶联剂溶液以0.5ul/min的流速注入微流控芯片中，时间为1小时。

5.根据权利要求4所述的基于银纳米星自组装的微流控3D SERS衬底制备方法，其特征在于：所述步骤2中，将银纳米星溶液以0.5ul/min的流速注入微流控芯片中，时间为1小时。

6.根据权利要求1所述的基于银纳米星自组装的微流控3D SERS衬底制备方法，其特征在于：所述步骤3中重复进行步骤1和2两次。