[发明专利]一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）靶材选取

选取纯度均为99.999%的块状硅和钨作为靶材，将所述靶材放入磁控共溅射室；

（2）衬底处理

对衬底依次用超声波和氩离子清洗，将处理后的衬底送入磁控共溅射室，置于样品台上；

（3）制备钨硅薄膜

磁控共溅射室的真空度小于等于2×10^-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于：所述的步骤（2）中，超声波功率为100W,清洗时间是10min。

3.根据权利要求1所述的一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于：所述的步骤（2）中，将超声波清洗过的衬底送入离子铣室，通入氩气，利用氩离子对所述衬底的表面进行进一步清洗，离子源加速电压是500V，离子束流是20mA，清洗时间是3min。

4.根据权利要求1所述的一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于：所述的步骤（3）中，溅射功率是W靶直流50W，Si靶交流100W。

5.根据权利要求1所述的一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于：所述的步骤（3）中，溅射气压是0.8Pa，沉积速率是4.8nm/min，W靶和Si靶的靶材到所述衬底的距离都是70mm，所述样品台的转速为50转/分钟。

6.根据权利要求1所述的一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于：所述的步骤（3）中，溅射时间为15min，所述钨硅薄膜的厚度为73nm。

7.根据权利要求1所述的一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于：所述衬底为高阻硅衬底或氧化镁衬底。

8.根据权利要求1所述的一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（3）中，工作气体氩气的纯度为99.999%。