[发明专利]用于测量接触电阻的TFT及接触电阻的测量方法

权利要求书

1.一种用于测量接触电阻的TFT，其特征在于，包括：

有源层，所述有源层上设有沟道和至少三个掺杂区，两个所述掺杂区之间通过沟道连接，在测量接触电阻时，以其中两个所述掺杂区作为测试点进行测量，所述掺杂区通过离子注入法在所述沟道上形成，所述掺杂区为所述TFT的电极，两个所述电极之间的距离为沟道长度，其中两个所述掺杂区位于所述有源层的两端，每两个相邻的所述掺杂区之间的沟道长度均相异，所述有源层由有机半导体材料制成，所述掺杂区为N型掺杂区或者P型掺杂区；

栅极，与所述沟道对应设置，形成所述栅极的材料为铝和铝合金中的至少一种；

栅极绝缘层，用于隔离所述有源层和所述栅极，所述栅极绝缘层包括S_iO₂膜以及形成在所述S_iO₂上的S_iN_x膜。

2.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述有源层上设有四个掺杂区。

3.一种TFT的接触电阻的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

被测量的TFT的有源层上设有沟道和至少三个掺杂区，两个所述掺杂区之间通过沟道连接，所述掺杂区通过离子注入法在所述沟道上形成，所述掺杂区为所述TFT的电极，两个所述电极之间的距离为沟道长度，其中两个所述掺杂区位于所述有源层的两端，每两个相邻的所述掺杂区之间的沟道长度均相异，所述有源层由有机半导体材料制成，所述掺杂区为N型掺杂区或者P型掺杂区，以其中两个所述掺杂区作为测试点进行测量，以获取该两个测试点之间的总电阻；

在被测量的所述TFT上，更换测试点以改变沟道长度，测量并获取更换后的两个测试点之间的总电阻，其中，所述沟道长度为两个所述掺杂区之间的距离；

根据至少两次的测量数据做出沟道长度与所述总电阻的关系图，并根据所述关系图获得接触电阻。

4.根据权利要求3所述的测量方法，其特征在于，以其中两个所述掺杂区作为测试点进行测量，以获取该两个测试点之间的总电阻，的步骤中，测量的是该两个测试点之间的电压值和电流值，通过公式：Rtotal＝Vds/Ids获取所述总电阻，其中，Rtotal为总电阻，Vds为所述两个测试点之间的电压值，Ids为该两个测试点之间的电流值。

5.根据权利要求4所述的测量方法，其特征在于，在所述被测量的TFT上，更换测试点以改变沟道长度，测量并获取更换后的两个测试点之间的总电阻的步骤中，更换测试点为更换其中一个测试点，或者同时更换两个测试点。

6.根据权利要求5所述的测量方法，其特征在于，根据至少两次的测量数据做出沟道长度与所述总电阻的关系图，并根据所述关系图获得接触电阻的步骤中，根据公式：Rtotal＝RC+RL和RL＝kL做出所述沟道长度与所述总电阻的关系图，其中，RC为接触电阻，RL为沟道电阻，k为常数，L为沟道长度。