[发明专利]一种GaAs基LED芯片的切割方法

权利要求书

1.一种GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，包括如下步骤：

(1)P面半切：在芯片P面进行全面半切，释放P面应力；

(2)贴白膜：将芯片P电极向下朝向白膜，N电极向上，贴在白膜上；

(3)N面划片：在芯片N面沿P面半切的切割槽进行激光划痕作业，释放芯片N面应力；

(4)倒膜：芯片P电极向下，N电极向上，芯片由白膜转移到蓝膜上；

(5)在芯片N面用裂片机的劈刀沿步骤(3)中的划痕进行裂片，劈刀的刀深与P面半切深度融合，芯片被加工成独立的晶粒。

2.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，所述步骤(1)P面半切的具体过程是：先沿与芯片大解理边垂直的方向进行全面半切，再沿平行大解理边的方向进行全面半切，形成纵横交错的切割槽，将芯片P面电极等间距分隔开。

3.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，所述步骤(1)P面半切的刀高设定为120-150μm，切割速度为20-70mm/秒，锯片刀刀刃伸出量为550-600μm，切割槽宽度为15-20μm。

4.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，所述步骤(1)P面半切的深度为芯片厚度的20％～25％。

5.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，所述步骤(2)贴白膜时先将白膜在67-73℃烘烤5-10秒，使膜彻底舒张开，减小膜带来的形变应力影响。

6.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，所述步骤(3)N面划片的激光功率为1.4-1.7W，速度为70-80mm/s，划痕宽为8-10μm。

7.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，所述步骤(3)N面划片的深度为芯片厚度的20％～30％。

8.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，所述步骤(4)倒膜作业前，先将蓝膜在67-73℃烘烤5-10秒，使蓝膜彻底舒张开，减小膜带来的形变应力影响。

9.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，所述步骤(5)中裂片机劈刀刀刃厚度为8μm，劈刀刀痕宽度为10-15μm。

10.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，所述步骤(1)中切割槽形状、所述步骤(3)中划片的划痕形状以及所述步骤(5)中裂片机劈刀刀痕的形状都呈V型。