[发明专利]反激式多谐振Sepic变换器

权利要求书

1.反激式多谐振Sepic变换器，其特征在于，包括：隔离变压器、原边电路、副边电路，其中，

所述原边电路包括：直流电源、输入侧电感、MOS管、第一谐振电容、隔直电容、谐振电感；

所述副边电路包括：二极管、第二谐振电容、输出滤波电容；

输入侧电感一端接直流电源正端，输入侧电感另一端与MOS管的漏极、第一谐振电容的一极、隔直电容的一极相连接，隔直电容另一极接谐振电感一端，谐振电感另一端接隔离变压器原边绕组一端，直流电源的负端、MOS管的源极、第一谐振电容的另一极、隔离变压器原边绕组的另一端均接地，二极管阳极与第二谐振电容的一极、隔离变压器副边绕组的一端相连接，二极管阴极与第二谐振电容的另一极、输出滤波电容的一极相连接，输出滤波电容的另一极、隔离变压器副边绕组的另一端均接地，隔离变压器原边绕组与谐振电感连接的一端、隔离变压器副边绕组与输出滤波电容连接的一端为同名端。

2.根据权利要求1所述的反激式多谐振Sepic变换器，其特征在于，

所述第一谐振电容容量等效为MOS管结电容容量与并联在MOS管源极、漏极之间的谐振电容的容量之和；

所述第二谐振电容容量等效为二极管结电容容量与并联在二极管两极间的谐振电容的容量之和；

所述谐振电感的电感值等效为隔离变压器漏感电感值与串接在隔直电容、隔离变压器原边绕组之间的谐振电感的电感值之和。

3.根据权利要求1或2所述的反激式多谐振Sepic变换器，其特征在于，所述原边电路还包括寄生体二极管，寄生体二极管阳极与MOS管源极相连接，寄生体二极管阴极与MOS管漏极相连接。

4.反激式多谐振Sepic变换器，其特征在于，包括：直流电源、输入侧电感、MOS管、第一谐振电容、隔直电容、谐振电感、储能电感、二极管、第二谐振电容、输出滤波电容，其中，

输入侧电感一端接直流电源正端，输入侧电感另一端与MOS管的漏极、第一谐振电容的一极、隔直电容的一极相连接，隔直电容另一极接谐振电感一端，谐振电感另一端与储能电感的一端、输出滤波电容的一极相连接，直流电源的负端、MOS管的源极、第一谐振电容的另一极、储能电感的另一端、二极管的阳极均接地，二极管阴极接输出滤波电容另一极，第二谐振电容并联在二极管两极之间。

5.根据权利要求4所述的反激式多谐振Sepic变换器，其特征在于，

所述第一谐振电容容量等效为MOS管结电容容量与并联在MOS管源极、漏极之间的谐振电容的容量之和；

所述第二谐振电容容量等效为二极管结电容容量与并联在二极管两极间的谐振电容的容量之和。

6.根据权利要求4或5所述的反激式多谐振Sepic变换器，其特征在于，所述反激式多谐振Sepic变换器还包括寄生体二极管，寄生体二极管阳极与MOS管源极相连接，寄生体二极管阴极与MOS管漏极相连接。