[发明专利]振荡器集成电路

权利要求书

1.一种振荡器集成电路，其特征在于，包含：

一第一二极管装置，接收反向偏压，与一第一金属氧化物半导体晶体管串联耦接后置于一电源和一接地电压之间，所述第一二极管装置的一阴极耦接至所述电源，所述第一二极管装置的一阳极耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的一漏极，且所述第一金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至所述接地电压；

一第二二极管装置，接收反向偏压，与一第二金属氧化物半导体晶体管串联耦接后置于所述电源和所述接地电压之间，所述第二二极管装置的一阴极耦接至所述电源，所述第二二极管装置的一阳极耦接至所述第二金属氧化物半导体晶体管的一漏极，所述第二金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至所述接地电压，且所述第二金属氧化物半导体晶体管的一栅极耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述漏极；以及

一第三二极管装置，接收反向偏压，与一第三金属氧化物半导体晶体管串联耦接后置于所述电源和所述接地电压之间，所述第三二极管装置的一阴极耦接至所述电源，所述第三二极管装置的一阳极耦接至所述第三金属氧化物半导体晶体管的一漏极，所述第三金属氧化物半导体晶体管的一栅极耦接至所述第二金属氧化物半导体晶体管的所述漏极，所述第三金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至所述接地电压，且所述第三金属氧化物半导体晶体管的所述漏极耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的一栅极；

所述振荡器集成电路还包含一输出缓冲电路，包含：

一第四金属氧化物半导体晶体管，所述第四金属氧化物半导体晶体管的一栅极耦接至所述第三金属氧化物半导体晶体管的所述漏极；

一第五金属氧化物半导体晶体管，所述第五金属氧化物半导体晶体管的一栅极耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述漏极；以及

一第六金属氧化物半导体晶体管与一第七金属氧化物半导体晶体管，组成一电流镜，所述第六金属氧化物半导体晶体管耦接至所述第四金属氧化物半导体晶体管，且所述第七金属氧化物半导体晶体管耦接至所述第五金属氧化物半导体晶体管。

2.如权利要求1所述的振荡器集成电路，其特征在于，所述振荡器集成电路用以提供一振荡频率，所述振荡频率与所述第一二极管装置、所述第二二极管装置及所述第三二极管装置的一漏电流值成正比，且与第一金属氧化物半导体晶体管、第二金属氧化物半导体晶体管及所述第三金属氧化物半导体晶体管的栅极电容值以及临界电压值成反比。

3.如权利要求1所述的振荡器集成电路，其特征在于，所述第一二极管装置、所述第二二极管装置以及所述第三二极管装置为PN结二极管。

4.如权利要求1所述的振荡器集成电路，其特征在于，所述第四金属氧化物半导体晶体管和所述第五金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管，且所述第六金属氧化物半导体晶体管和所述第七金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管。

5.如权利要求1所述的振荡器集成电路，其特征在于，所述振荡器集成电路还包含一使能晶体管，所述使能晶体管的一漏极耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述栅极，所述使能晶体管的一栅极接收一使能信号。

6.一种振荡器集成电路，其特征在于，包含：

多个振荡器级，包含一第一振荡器级，奇数个中间振荡器级，以及一最后振荡器级，且所述振荡器级依序串联；

所述振荡器级中每一个包含接收反向偏压的一二极管装置，所述二极管装置与一晶体管串联耦接后置于一电源和一接地电压之间，其中：

所述二极管装置包含一阳极与一阴极，且所述晶体管包含一控制端，用以控制自所述晶体管的一第一端流至一第二端的电流；

于所述振荡器级的每一级内，所述二极管与所述晶体管于一内部节点直接耦接；

于所述振荡器级的每一级内，所述晶体管的所述控制端与前一振荡器级内的所述内部节点直接耦接；以及

所述第一振荡器级所包含的所述晶体管的所述控制端耦接至所述最后振荡器级内的所述内部节点。

7.如权利要求6所述的振荡器集成电路，其特征在于，所述振荡器集成电路用以提供一振荡频率，所述振荡频率与所述二极管装置的一漏电流值成正比，且与改变所述晶体管的状态所需的电荷量成反比。