[发明专利]非线性光学晶体氟硼铍酸铵及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种氟硼铍酸铵非线性光学晶体，其特征在于，所述晶体的化学式为NH₄Be₂BO₃F₂；该晶体不具有对称中心，属于三方晶系，空间群为R32，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，z＝3，单胞体积

2.权利要求1所述的氟硼铍酸铵非线性光学晶体的生长方法，其特征在于，采用水热法生长，以H₃BO₃-NH₄F为矿化剂体系，其步骤如下：将氟硼铍酸铵化合物与矿化剂H₃BO₃和NH₄F放入水热釜中，加入水，升温至250～350℃，恒温7～14天后，降温至40～60℃，停止加热，待样品冷却后，洗净，即获得所述氟硼铍酸铵非线性光学晶体。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述氟硼铍酸铵化合物与矿化剂的摩尔比为1:(2～3)。

4.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，矿化剂中的H₃BO₃与NH₄F的质量比介于1/6～1/2之间。

5.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述氟硼铍酸铵化合物与矿化剂混合均匀后再放入水热釜中。

6.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，水的加入量为水热釜体积的1/3～2/3，ml/ml。

7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，水的加入量为水热釜体积的1/3～1/2，ml/ml。

8.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，降温至40～60℃的速度为每小时3～10℃。

9.根据权利要求8所述的生长方法，其特征在于，降温至40～60℃的速度为每小时5℃。

10.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，样品冷却至20～30℃后进行洗净处理。

11.根据权利要求10所述的生长方法，其特征在于，洗净使用的溶剂为水、乙醇或其混合物。

12.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，制备得到的晶体体积大于2.0mm³。

13.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述氟硼铍酸铵化合物的制备步骤如下：准备原料NH₄F、BeO和H₃BO₃，将原料加入水热釜中，加入水，缓慢升温到150～240℃后，恒温5～7天；冷却后，取出洗净，即可获得所述的氟硼铍酸铵化合物。

14.根据权利要求13所述的生长方法，其特征在于，NH₄F、BeO与H₃BO₃的摩尔比为(0.5～2.5):1:(0.5～2.0)。

15.根据权利要求14所述的生长方法，其特征在于，NH₄F、BeO与H₃BO₃的摩尔比为(1.0～2.5):1:(0.5～1.5)。

16.根据权利要求13所述的生长方法，其特征在于，所述氟硼铍酸铵化合物的制备中，水的加入量为水热釜体积的1/3～2/3，ml/ml。

17.根据权利要求16所述的生长方法，其特征在于，所述氟硼铍酸铵化合物的制备中，水的加入量为水热釜体积的1/3～1/2，ml/ml。