[发明专利]用于反向导通的IGBT的控制电路

权利要求书

1.用于控制半导体开关的控制电极的控制电路，所述控制电路具有以下：

用于连接到半导体开关的控制电极上的第一输出节点（G）；

电压供应电路；

与所述电压供应电路连接的第一开关级（SW₁、SW₂）和与所述电压供应电路连接的第二开关级（SW₃、SW₄）；

第一电阻网络（R_GI），所述第一电阻网络连接到第一开关级（SW₁、SW₂）和第一输出节点（G）之间；

第二电阻网络（R_GD），所述第二电阻网络连接到第二开关级（SW₃、SW₄）和第一输出节点（G）之间；

用于连接到半导体开关的负载电极上的第一参考节点（E）；以及

控制逻辑电路（15；110），所述控制逻辑电路被构造用于产生用于控制第一开关级（SW₁、SW₂）和第二开关级（SW₃、SW₄）的控制信号，使得

在半导体开关的第一运行模式中所述半导体开关仅通过第一电阻网络来控制，并且

在半导体开关的第二运行模式中所述半导体开关仅通过第二电阻网络或两个电阻网络来控制。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述第一开关级和所述第二开关级各包括分别具有高侧晶体管和低侧晶体管的晶体管半桥。

3.根据权利要求1或2所述的控制电路，所述控制电路此外具有与所述电压供应电路连接的第三开关级（SW₅、SW₆），所述第三开关级与所述第一参考节点（E）耦合。

4.根据权利要求3所述的控制电路，其中所述第一开关级、所述第二开关级和所述第三开关级各包括分别具有高侧晶体管和低侧晶体管的晶体管半桥。

5.用于控制半导体开关的控制电极的控制电路，所述控制电路具有以下：

用于连接到半导体开关的控制电极上的第一输出节点（G）；和

用于连接到半导体开关的负载电极上的第一参考节点（E）；

电压供应电路；

第一晶体管半桥（SW₁、SW₂）、第二晶体管半桥（SW₃、SW₄）和第三晶体管半桥（SW₅、SW₆），其中每个晶体管半桥与所述电压供应电路连接并且具有桥输出节点；

第一电阻网络（R_GI），所述第一电阻网络连接到第一晶体管半桥（SW₁、SW₂）的桥输出节点和第一输出节点（G）之间；

第二电阻网络（R_GD），所述第二电阻网络连接到第二晶体管半桥（SW₃、SW₄）的桥输出节点和第一输出节点（G）之间；并且

其中第三晶体管半桥（SW₅、SW₆）的桥输出节点与第一参考节点（E）连接。

6.根据权利要求5所述的控制电路，所述控制电路此外具有控制逻辑电路（15；110），所述控制逻辑电路被构造用于产生用于控制三个晶体管半桥的晶体管的控制信号，使得

在半导体开关的第一运行模式中所述半导体开关仅通过第一电阻网络来控制，并且

在半导体开关的第二运行模式中所述半导体开关仅通过第二电阻网络或两个电阻网络来控制。

7.根据权利要求5或6所述的控制电路，其中第一电阻网络具有至少一个二极管。

8.根据权利要求5或6所述的控制电路，其中第二晶体管半桥具有另外的桥输出节点（B′）并且第二晶体管半桥的两个桥输出节点（B、B′）通过第二电阻网络与第一输出节点（G）连接。