[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

SOI衬底，其包含半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的第一绝缘膜及形成在所述第一绝缘膜上的第一半导体层；

第一栅极电极，其隔着第二绝缘膜形成在所述第一半导体层上；

第二半导体层及第三半导体层，其以夹着所述第一栅极电极的方式形成在所述第一半导体层上；以及

第二栅极电极，其隔着第三绝缘膜形成在所述第一半导体层上，

所述第一半导体层具有第一导电型，所述第二半导体层及所述第三半导体层具有与所述第一导电型不同的第二导电型，

所述第二半导体层及所述第三半导体层构成包含所述第一栅极电极在内的第一场效应晶体管的漏极、源极区域，

第四绝缘膜形成在所述第二栅极电极的侧壁之上并且位于所述第二半导体层与所述第二栅极电极之间，

所述第二栅极电极及所述第四绝缘膜构成存储元件，

所述存储元件通过在所述第四绝缘膜中发生绝缘破坏来进行信息的写入。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二半导体层的杂质浓度比所述第二栅极电极的正下方的所述第一半导体层的杂质浓度大。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还具有第三栅极电极，该第三栅极电极隔着第五绝缘膜形成在所述第一半导体层上，

所述第三半导体层构成包含所述第三栅极电极在内的第二场效应晶体管的漏极区域。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

在执行所述信息的写入过程中，向所述第一栅极电极施加比所述第三栅极电极大的电压。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述存储元件和所述第一场效应晶体管构成单位存储单元，

所述单位存储单元沿着所述SOI衬底的上表面并列地配置有多个，

构成多个所述单位存储单元的多个所述存储元件各自共用共同的第二栅极电极，

构成多个所述单位存储单元的多个所述第一场效应晶体管各自的源极区域相互分离。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述存储元件和所述第一场效应晶体管构成单位存储单元，

所述单位存储单元沿着所述SOI衬底的上表面并列地配置有多个，

构成多个所述单位存储单元的多个所述存储元件各自的第二栅极电极相互分离，

构成多个所述单位存储单元的多个所述第一场效应晶体管各自相互共用共同的源极区域。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第二半导体层上没有连接插塞。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

硅化物层形成在所述第二半导体层上。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第四绝缘膜与所述第二栅极电极的所述侧壁接触并且位于所述第二半导体层与所述第二栅极电极之间。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

插塞分别连接于所述第一栅极电极、所述第二栅极电极以及所述第三半导体层，

插塞不与所述第二半导体层连接。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还包括形成在所述第一栅极电极的侧壁之上的第五绝缘膜，

所述第二半导体层在所述第四绝缘膜与所述第五绝缘膜之间且与所述第四绝缘膜和所述第五绝缘膜接触。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一半导体层的第一部分与所述第二半导体层接触，

所述第一半导体层的第二部分与所述第三半导体层接触，

所述第一部分和所述第二部分具有与所述第二导电型不同的所述第一导电型。