[发明专利]一种增益提升的运算跨导放大器有效
申请号: | 201510631301.9 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105141265B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 宋树祥;凡东东;蒋品群;程远垚 | 申请(专利权)人: | 广西师范大学 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/45 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司45107 | 代理人: | 欧阳波 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增益 提升 运算 放大器 | ||
1.一种增益提升的运算跨导放大器,包括偏置恒定电流源及其依次串接的差分输入、负载电流镜和共源共栅输出级,其中偏置恒定电流源为P型MOS管M0的源极接电源VDD,M0的栅极接偏置电压Vbias;差分输入由4个P型MOS管M1a、M2a、M1b和M2b构成,负载电流镜由6个N型MOS管M3、M4、M5a、M6a、M5b和M6b构成,共源共栅输出级由2个N型MOS管M7、M10以及4个P型MOS管M8、M9、M11、M12构成;
差分输入级P型MOS管M1a、M2a、M1b和M2b的源极分别接P型MOS管M0的漏极;N型MOS管M3漏极分别接P型MOS管M2b的漏极、N型MOS管M5a和M5b的栅极,N型MOS管M3的源极接N型MOS管M5b的漏极,N型MOS管M4漏极分别接P型MOS管M1b的漏极、N型MOS管M6a和M6b的栅极,N型MOS管M4的源极接N型MOS管M6b的漏极,N型MOS管M3、M4的栅极接偏置电压Vb1,N型MOS管M5a、M5b、M6a和M6b的源极分别接地;共源共栅输出级的N型MOS管M7的漏极接P型MOS管M8的漏极、同时连接共源共栅输出级的第二输出端Vout-,共源共栅输出级P型MOS管M8的源极接P型MOS管M9的漏极,N型MOS管M10的漏极分别接P型MOS管M11的漏极、同时连接共源共栅输出级的第一输出端Vout+,P型MOS管M11的源极接P型MOS管M12的漏极,N型MOS管M7、M10的栅极分别接偏置电压Vb1,P型MOS管M8、M11的栅极分别接偏置电压Vb2,P型MOS管M9、M12的栅极接共模反馈电压CMFB,P型MOS管M9、M12的源极分别接电源VDD;其特征在于:
还包括可调辅助差分对,可调辅助差分对由P型MOS管M13、M14和M15构成;P型MOS管M13的栅极分别接P型MOS管M1a、M14的漏极、N型MOS管M5a的漏极及N型MOS管M7的源极,P型MOS管M14的栅极分别接P型MOS管M2a、M13的漏极、N型MOS管M6a的漏极及N型MOS管M10的源极,P型MOS管M13、M14的源极接P型MOS管M15的漏极,P型MOS管M15的源极接电源VDD;
所述电流镜M5b-M5a、M6b-M6a的尺寸比例相同,即M5a的尺寸与M5b的尺寸相比为K,同样M6a的尺寸与M6b的尺寸相比也为K,K的取值范围为2~5;
所述差分输入的MOS管M1a、M1b尺寸相同,二者的跨导相等,即gm1b=gm1a,本运算跨导放大器整体跨导为G=gm1a+Kgm1b=(1+K)gm1a。
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